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1、半導體元件核心知識：知識領域A：晶閘管與雙極結型晶體管知識單元A1：第二章PN結晶閘管知識單元A2：第三章雙極結型晶體管知識單元A3：第四章金屬-半導體結知識領域B：場效應晶體管知識單元B1：第五章結型和金屬-半導體場效應晶體管知識單元B3：第六章金屬-氧化物-半導體場效應晶體管知識領域C：新型半導體光電子元件知識單元C1：第八章半導體太陽電板與光電晶閘管知識單元C2：第九章發光晶閘管與半導體激光器知識回顧第二章PN結晶閘管把握下述名詞、術語和基本概念：PN結、突變結、線性緩變結、單邊突變結、空間電荷區、耗盡近似、中性區、內建電場、內建電勢差、勢壘、正向注入、反
2、向抽取、擴散近似。分別采用費米基態和氮化物甩尾與擴散的觀點解釋PN結空間電荷區（SCR)的產生。正確畫出熱平衡和加展寬PN結的能帶圖。借助中性區電中性條件導入空間電荷區內建電勢差公式。了解多項式求解單邊突變結結SCR內建電場、內建電勢、內建電勢差和用盡層厚度。把握反展寬下突變結，用盡層厚度公式。了解理想PN結基本假定及其意義。導入長PN結和短PN結少子分布表達式。把握公式。解釋理想PN結反向電壓的來源。畫出正、反展寬下PN結少子分布、電流分布和總電壓示意圖。理解并把握概念：正偏復合電壓、反偏形成電壓。理解低展寬下復合電壓占優，隨著電流降低擴散電壓越來越成為主要成份
3、。第二章PN結晶閘管了解形成隧洞電壓的條件。畫出能帶圖解釋隧洞晶閘管的IV特點。了解隧洞晶閘管的特性和局限性。把握概念：用盡層電容、求雜質分布、變容晶閘管。把握CV關系及其應用。概念：交流導納擴散濁度擴散內阻擴散電容等效電路了解晶閘管的開關特點。把握晶閘管的擊穿機制。第二章PN結晶閘管第三章雙極結性晶體管了解晶體管的基本結構及其制做工藝。把握四個概念：注射效率、基區輸運因子、共柵極電壓增益、共發射極電壓增益了解典型BJT的基本結構和工藝過程。把握BJT的四種工作模式。畫出BJT電壓份量示意圖，寫出各極電壓及其互相關系公式。分別用能帶圖和氮化物輸運的
4、觀點解釋BJT的放大作用。解釋理想BJT共柵極聯接和共發射極聯接的輸出特點曲線。理解理想雙極結型晶體管的基本假定及其意義。寫出發射區、基區、集電區少子滿足的擴散多項式并解之求出少子分布。把握正向有源模式基區輸運因子公式。把握正向有源模式基區電子電壓公式。了解EM多項式中四個參數的化學意義按照EM多項式寫出四種模式下發射極電壓和基極電壓表達式。理解并記憶BJT四種工作模式下的少子分布邊界條件畫出BJT四種工作模式下少子分布示意圖。了解緩變基區晶體管基區輸運因子的估算。理解電壓聚集效應和基區長度調變效應。第三章雙極結性晶體管把握概念：頻度響應、共柵極截至頻度、共發射極截至頻度、特征頻度（帶
5、寬）、基區渡越時間導入基區渡越時間公式。解釋科爾克效應。了解晶體管的開關特點。熟悉晶體管穿通機制。第三章雙極結性晶體管第四章金屬半導體結了解金屬半導體接觸出現兩個最重要的效應畫出熱平衡情況下的肖特基勢壘能帶圖。把握肖特基勢壘、內建電勢差和空間電荷區長度估算公式。畫出加展寬的的肖特基勢壘能帶圖，解釋肖特基勢壘晶閘管的檢波特點。理解界面態和鏡像力對肖特基勢壘高度的影響。把握概念：表面勢、熱電子、熱自旋晶閘管、里查森常數、有效里查森常數。導入半導體表面自旋含量表達式。導入電壓電流特點李查德杜師曼多項式。了解MIS肖特基晶閘管工作原理。把握結型晶閘管相比肖特基勢壘晶閘管的主要
6、特點。了解肖特基勢壘晶閘管的主要應用。把握歐姆接觸概念和產生歐姆接觸的條件。第五章結型場效應晶體管與MS場效應晶體管畫出JFET的基本結構示意圖。熟悉JFET的基本工作原理。熟悉溝道夾斷、漏電壓飽和、夾斷電流等概念。把握理想JFET的基本假定及其意義。導入夾斷前JFET的IV特點多項式。深入理解溝道夾斷和夾斷電流的含意。把握線性區條件和IV特點。把握飽和區條件和IV特點。把握溝道寬度調制效應。把握GaAs的突出特征。把握JFET和的主要類型。了解理想MOS結構基本假定及其意義。依據電磁場邊界條件導入空間電荷與電場的關系。把握自旋積累、耗盡和反型和強反型
7、的概念。正確畫出流子積累、耗盡和反型和強反型四種情況的能帶圖。導入反型和強反型條件。把握理想MOS系統的電容電流特點。導入用盡層厚度和歸一化MOS電容表達式。把握溝道濁度公式。把握閥值電流公式。了解在氫氧化鋁、二氧化硅硅界面系統存在的電荷及其主要性質。把握實際閥值電流的公式及各項的意義。導入薩支唐多項式。理解夾斷條件的數學意義。第六章金屬-氧化物-半導體場效應晶體管把握交流小訊號參數并導入線性導納和飽和區跨導表達式。強調增強工作頻度或工作速率的途徑。把握場效應晶體管的類型。第六章金屬-氧化物-半導體場效應晶體管第八章半導體太陽電瓶和光電晶閘管把握概念：光生伏打效應、暗電壓。
8、理解光生電動勢的形成。畫出理想太陽電瓶等效電路圖。按照電瓶等效電路圖寫出了太陽電瓶的IV特點多項式。了解太陽電瓶的I-V特點曲線，解釋該曲線所包含的化學意義。畫出實際太陽電瓶等效電路圖按照等效電路圖寫出IV特點多項式。把握概念：轉換效率、占空質數。導入太陽電瓶的最大輸出功率公式。了解光形成電壓和搜集效率。把握提升提升太陽電瓶效率的主要舉措。了解光電晶閘管的工作原理。了解P-I-N光電晶閘管的工作原理的基本結構、能帶圖和工作原理。了解P-I-N光電晶閘管中。把握概念：量子效率、響應度、響應速率。列舉光電晶閘管與太陽電瓶的三個主要不同之處。第八章半導體太陽電瓶和光電晶閘管把握幅射復合和非幅射復合的概念和機制。了解LED基本結構、工作過程和特點參數，了解各類不同類型LED。理解等電子圈套復合，解釋等電子圈套復合能提升半導體材料的發光效率的緣由。解釋各類俄歇過程。畫出能帶圖說明LED的發光機制。把握LED外量子效率和內量子效率概念。第八章發光晶閘管
