光電效應的現象和實驗規律以及愛因斯坦的光子理論和光電效應方程是高中物理教學的重點。人教出版社教材主要介紹光照射金屬表面并產生從表面逸出的光電子的現象和規律。愛因斯坦的光電效應方程是基于金屬中的電子吸收光子的能量并逸出金屬表面形成光電子的能量轉換，即
。
在教學中，學生經常會問這樣的問題：“是否存在一個光子射出多個光電子的情況？” “光照射非金屬表面會產生光電效應嗎？” “是否有電子吸收光子的能量，但如果它不從物體表面逃逸，會發生什么？”等待。
事實上，正如同學們推斷的那樣，光電效應的現象非常豐富。高中課本中描述的光電效應現象只是典型案例之一——單光子光電效應。下面我們通過具體的例子來看看如何分析其他類型的光電效應現象。
1.多光子光電效應
例1 2013年北京高考理科綜合（物理）第20題涉及學生在課堂上沒有學過的多光子光電效應。主題如下：
過去我們所知道的光電效應是單光子光電效應，即一個電子只能吸收一個光子并在很短的時間內從金屬表面逃逸。強激光的出現豐富了人們對光電效應的認識。當金屬受到強激光照射時，由于其極高的光子密度，一個電子有可能在極短的時間內吸收多個光子，從而形成多光子光電效應，這一點已被實驗證實。
光電效應實驗裝置示意圖如圖1所示，頻率為
當普通光源照射陰極K時，不會發生光電效應。使用相同的頻率
當強激光照射陰極K時，發生光電效應；此時，如果施加反向電壓U，陰極K接電源正極，陽極A接電源負極，KA之間形成電場，使向下光電子。逐漸增大U，光電流會逐漸減小；當光電流減小到零時，施加的反向電壓U可以如下（其中W是功函數光電效應的三個公式，h是普朗克常數，e是電子功率）
本題所研究的多光子光電效應的分析是學生比較陌生的物理情況，因此有些學生感到無奈。如何運用所學的相關知識來解決這個新問題？我們研究光電效應方程
發現它表達了光電效應的能量轉換。如果按照能量轉換的思想來分析這個問題，那就很清楚了。和單光子光電效應一樣，我們仍然關注光電子，光電子吸收多個光子的能量
，克服金屬功函數W，剩余光電子的最大初始動能為
之后，光電子在反向電壓U的作用下減速，當光電流減小到零時，全部最大初始動能用來克服電場力做功，即
整個過程有
由于n為正整數，故正確選項應為B。
從上面的例子可以看出，微觀粒子相互作用所涉及的物理過程是比較復雜的。我們無法按照經典牛頓力學來分析，但在這個過程中我們仍然遵守能量轉換守恒定律和動量守恒定律。因此，掌握光電效應過程中參與轉換的各種能量形式以及它們之間的轉換或傳遞路徑（關系）是解決此類問題的關鍵。利用這個想法，我們可以分析另一種光電轉換現象——俄歇效應。
2.俄歇效應
俄歇效應是1925年發現的一種光電轉換現象，以法國人的名字命名。如圖2所示：當物質受到X射線照射時，原子同時發射出兩個光電子。其中之一與光電效應的光電子無異，其能量與入射光的能量有關；但另一個電子的能量只與被照射的材料有關。這種現象稱為俄歇效應。其中，正常的光電子是由X射線直接電離內層（能量較低）電子而產生的。當光電子被電離時，留下一個空位，較高能級的電子會填補較低能級的空位，釋放的能量通過庫侖相互作用轉移給另一個較高能級的電子。電離。該電子稱為俄歇電子。俄歇效應是一種無輻射躍遷。
從上述俄歇電子產生機制可以看出，俄歇電子并不是通常意義上的光電子，因此不能應用光電效應方程來分析其能量。不過，只要我們弄清楚這里的能量轉換路徑，分析俄歇電子的能量就不難了。例如，這是一個涉及俄歇效應的練習：
示例2 當原子從一個能級躍遷到另一個較低能級時，可能不會發射任何光子。例如，在一定條件下，鉻原子n=2能級的電子躍遷到n=1能級時，并不發射光子，而是將相應的能量轉移給n=4能級的電子水平，導致它們脫離原子。這種現象稱為俄歇效應，以這種方式脫離原子的電子稱為俄歇電子。已知鉻原子的能級公式可以簡化為
其中，n=1,2,3,...，表示不同的能級，A為正的已知常數。則上述俄歇電子的動能為 ( )
分析 如前所述，我們按照能量傳遞和轉換的路徑來分析。從問題的意思來看：當鉻原子從n=2能級躍遷到n=1能級時，釋放的能量應該是這兩個能級之間的能級差：
轉移到 n=4 能級的能量為
電子數、電子吸收
之后的能量
這是它的總能量。而離開原子核后其電勢能為零，因此俄歇電子的動能為
所以選項C是正確的。也就是說，俄歇電子的動能等于第一次電子躍遷的能量。
與俄歇電子的電離能
之間的能量差。進一步分析不難發現，俄歇電子的動能是其吸收的能量與電離時消耗的能量之差。這與光電子的初始動能等于吸收的光能與消耗的功函數之差的關系進行比較。從能量轉換的本質來看是類似的。因此，能量轉換和守恒是各種光電效應現象中觀察到的基本規律。研究清楚能量轉換和傳遞的具體過程是解決此類問題的關鍵。
3、半導體內部光電效應（光伏效應）
太陽能電池是將光能轉化為電能的裝置。它們工作的基本原理也是光電效應——半導體的內部光電效應。筆者曾經看過一個關于太陽能電池的練習。具體題目如下：
實施例3 硅光伏電池是利用光電效應原理制成的器件。下列說法正確的是（ ）
(A) 逃逸光電子的最大初始動能與入射光的頻率無關
(B) 硅光伏電池中吸收光子能量的所有電子都逃逸
(三)硅光伏電池是將光能轉化為電能的裝置
(D)任何頻率的光照射硅光伏電池均可產生光電效應
分析：因為題目說硅光伏電池是利用光電效應原理制成的器件，所以很容易判斷A、B、D錯誤，C正確。但硅光伏電池的光電效應到底是什么呢？硅是半導體，它有和普通金屬一樣的光電效應嗎？ A、B、D選項錯誤的具體原因是什么？為了弄清楚這個問題，我們需要了解光電效應的另一種形式：半導體的內部光電效應，也就是光伏效應。
當光照射半導體等材料表面時，由于材料原子能級結構的特殊性，雖然有時不會產生逃逸的光電子光電效應的三個公式，但材料內部的電子能量、載流子濃度、分布和內場可能會發生變化，具體取決于材料的原子能級結構。關于照明。較大的變化，產生各種電磁效應或現象，一般稱為內光電效應。內光電效應的產生機理簡述如下：
根據量子力學理論，由于物質中的原子彼此非常接近，它們的能級會相互影響，導致原子的能級展寬為能帶。如果某個能帶充滿了電子，它就會成為滿能帶。 ，它與上面的空帶被禁帶分開。兩者之間的能量差稱為帶隙間隔（由
表達）。此時，大于帶隙間隔的能量可以將全能帶電子激發到空能帶。一般情況下貝語網校，皮帶間隙較大（
數量級的物質）稱為絕緣體；帶隙很小（
個數量級）稱為半導體。緊鄰禁帶的半導體全能帶稱為價帶，其上方的空帶稱為導帶。一般情況下，價帶中的電子不會自發躍遷到導帶，因此半導體材料的電導率遠小于導體。
但是，當光照射到半導體表面時，它會為價帶中的電子提供能量。當入射光子能量
（
是帶隙間隔），價帶中的電子會吸收光子的能量并躍遷到導帶，在價帶中留下一個空穴，形成一對可以導電的電子空穴對。這里的電子并沒有逃逸形成光電子，但顯然存在由于光而產生的電效應。因此，這種光電效應是內光電效應。從理論和實驗結果分析，我們知道，價帶電子要躍遷到導帶，還存在一個入射光的極限能量，即
在
是極限頻率（
）。入射光的頻率大于
此時，電子就會發生帶間躍遷。
當光照射到由半導體摻雜制成的PN結時，如果滿足入射光的頻率
當，內部會發生光電效應，形成光生電動勢，從而形成光伏電池，如圖4所示。這時候，如果我們看一下剛才提到的硅光伏電池的示例問題，我們可以清楚地明白哪里選項A、B、D錯誤——內光電效應要發生，入射光的頻率必須大于一定的極限頻率，且電子不能從物體表面逸出。
雖然內光電效應的具體原理和現象與課堂上學到的有很大不同，但能量轉換的關系，即當入射光子能量大于帶隙間隔時，就能產生內光電效應。這與當入射光子能量大于課本上學到的功函數時產生光電效應的能量轉換機制相同。
因此，把握能量轉換和傳遞的路徑，按照能量守恒的思想分析各種光電效應現象，是指導學生基于更多的物理基本概念分析和解決光電效應問題的有效途徑。
教師在教學中還應注意用保護思想分析實際的物理現象和問題。這可以使學生對物理現象和規律有更本質、更深入的認識，提高科學素質，有利于今后繼續學習和研究。
作者單位：北京大學附屬中學
一審：朱勤
二審：張宇