內(nèi)阻不再是阻值——高頻時(shí)確實(shí)這么許多設(shè)計(jì)師沒有意識(shí)到實(shí)際器件中的寄生誘因會(huì)影響它們的值。當(dāng)頻度達(dá)到幾千兆赫茲時(shí)，例如內(nèi)阻、電感和電容等基本器件就會(huì)呈現(xiàn)出非理想的特點(diǎn)。這些變化在設(shè)計(jì)混頻器或試
內(nèi)阻不再是阻值——高頻時(shí)確實(shí)這么
許多設(shè)計(jì)師沒有意識(shí)到實(shí)際器件中的寄生誘因會(huì)影響它們的值。當(dāng)頻度達(dá)到幾千兆赫茲時(shí)，例如內(nèi)阻、電感和電容等基本器件就會(huì)呈現(xiàn)出非理想的特點(diǎn)。這些變化在設(shè)計(jì)混頻器或企圖優(yōu)化供電網(wǎng)路、旁路網(wǎng)路或偏置電路時(shí)將顯得十分關(guān)鍵。
我們將在后續(xù)文章中討論電容和電感。如今讓我們討論最常見的阻值。下邊是阻值的理想阻抗曲線電容的電阻會(huì)變化嗎，正如你期望的那樣，是一條直線。
圖1：理想阻值的阻抗與頻度之間的關(guān)系曲線表明在所有頻度下阻抗都是相同的值。
如今讓我們考慮一個(gè)具有短引線的碳質(zhì)內(nèi)阻。通過降低引線的寄生電感和內(nèi)阻端帽之間的并聯(lián)電容就可以得到下邊這些高頻時(shí)的簡(jiǎn)化模型。
圖2：典型內(nèi)阻在高頻時(shí)的簡(jiǎn)化模型，其中包含了并聯(lián)電容和串聯(lián)電感。(引線寬度為1/4英寸的)碳質(zhì)內(nèi)阻的典型串聯(lián)電感為14nH，并聯(lián)電容為1-2pF。
假如繪出這些簡(jiǎn)化模型的頻度曲線，你應(yīng)當(dāng)會(huì)聽到下邊這個(gè)理想的阻抗圖。
圖3：實(shí)際內(nèi)阻的理想阻抗圖上有幾個(gè)不同的點(diǎn)，分別展示了內(nèi)阻主導(dǎo)、電容降低阻抗和電感降低阻抗的特點(diǎn)。
在較低頻率時(shí)，圖中的曲線是純阻性的(水平直線)。但隨著頻度的降低電容的電阻會(huì)變化嗎，并聯(lián)電容將占主導(dǎo)地位，阻抗開始以20dB/10外頻增長(zhǎng)。內(nèi)阻現(xiàn)今弄成了電容，這兒出現(xiàn)了轉(zhuǎn)折點(diǎn)。
圖中還有一個(gè)容性檢波等于感性檢波的點(diǎn)。在這個(gè)短暫的頓時(shí)，阻抗再一次變?yōu)榧冏栊?盡管電阻要小得多)。串聯(lián)諧振就發(fā)生在這個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)。
在這個(gè)點(diǎn)以后，串聯(lián)的引線電感占主導(dǎo)地位，可憐的內(nèi)阻弄成了電感。它的阻抗曲線以20dB/10外頻的斜率上升。
為了幫助說明，我檢測(cè)了一個(gè)引線寬度為1/4英寸的碳質(zhì)內(nèi)阻，并繪出了下邊這張圖。
圖4：帶短引線的1kΩ碳質(zhì)內(nèi)阻的阻抗檢測(cè)圖。
因?yàn)閳D中只給出了從1MHz到的頻度變化，因而看不到因?yàn)榇?lián)電感而導(dǎo)致的阻抗降低那段曲線。但是在時(shí)，你可以聽到1kΩ內(nèi)阻的阻抗早已增長(zhǎng)到約730Ω。在時(shí)，阻抗只有300Ω了。
雖然在使用串聯(lián)電感為1-2nH、并聯(lián)電容為0.2-0.4pF的典型表貼器件時(shí)，高達(dá)數(shù)千兆赫茲的頻度也會(huì)影響阻抗檢測(cè)值。
通過理解實(shí)際器件的寄生誘因?qū)ψ杩沟挠绊懀銓⒚靼诪槭裁匆３忠€寬度和電路走線盡可能短、為何在高頻設(shè)計(jì)中表貼器件性能愈發(fā)優(yōu)異。
你遇見過隨著頻度的降低串聯(lián)電感或并行電容改變的情況嗎?這些情況將怎樣影響你的設(shè)計(jì)性能呢?