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在射頻和微波頻段使用的高功率阻值，大多數使用在功分器或則合路器產品中。為得到最好的性能，在功分器中使用的100歐姆隔離阻值，必須具有較小的等效電容，以易于增加對插入耗損的影響。另外，假如隔離內阻使用在合路器中，這么其須要吸收每位輸入端口的輸入功率的一半。
分離內阻經常用于設計高功率衰減器。頻度低的時侯，這是可行的；但是在高頻時，分離內阻的寄生參數會造成衰減器的特點比預計的要差。
高功率內阻擁有不同的形狀和規格。應用最普通的幾種分別為：表貼型內阻，具有引線（有/無絕緣殼體）的內阻，具有引線和絕緣殼體，并安裝在導電法蘭上的內阻。各類高功率內阻的外型如下：
高功率內阻的尺寸參數
高功率內阻的主要參數包括：內阻值，最大功率容量（大多數是指在100度氣溫下的），功率-氣溫曲線和機械外型規格。另外，最大或則典型的等效電容值有些情況下也須要提供。
內阻和最大功率這兩個參數通常是比較明晰的，而且對設計師來說也很有用。相對來說，等效電容這個參數就比較模糊。多數情況下，廠商并不會提供等效電容是在何種頻度下測得，以及采用哪種測試方式。
等效電容分好多種。并聯等效電容是指在內阻膜和地平面之間的由射頻散射場所產生的電容（如圖2）。其它的等效電容諸如輸入和輸出過孔之間的，因為其對實際應用的影響較小，非常是在低頻的時侯，通常不做重點考慮。
到目前為止，高功率內阻在1MHz以上的等效電容的測試還沒有標準。根據MIL-STD202G的標準規定，等效電容的測試頻度建議為：60Hz，120Hz，1KHz，10KHz和1MHz。
有人提出：在1MHz測試得出的等效電容一定可以滿足MIL的標準，而且這個電容信息對希望其能工作在2.7GHz的設計師來說，一點用都沒有。同樣的情況也適用于工作頻度為GHz頻度范圍的基站產品。
測試方式和等效電容的提取
當高功率內阻用于射頻和微波頻段時，具有損傳輸線的特點。圖3是一個內阻的集總器件模型和其高頻等效電路模型。圖3中的并聯電容可以通過測試S參數的方法提取。但測試設備的類型、校準的技術、材料的介電常數就會影響測試結果。
為愈發形象的展示等效電容的提取過程，我們使用500W的帶引線的50歐姆內阻制做了一個如圖4的樣本。圖3中的參考面的構建是通過測試儀器的校正以及設置來實現的。
測試數據和建模數據
為了驗證參數的提取過程電容器串并聯的等效電容公式，我們使用構建了一個EM內阻模型。如圖5顯示，EM剖析得到的S參數和測試得到的S參數被一起標明在一張Smith原圖上。從圖中可以看出，在2.7GHz以下，測試的數據和建模的數據具有挺好的相關性。
等效電容的估算
為得到內阻的并聯等效電容，我們須要用到b這個值，其任意頻度的值都可以直接從我們舉例的圖中得到。
舉例如下，從紅色的線（測試數據）上查到：在2.3GHz電容器串并聯的等效電容公式，b=1.083。將其帶入下邊的公式可以得出等效電容的值為1.5pF。
假如我們根據綠色的線（建模數據）得到b，之后重新估算在2.3GHz的等效電容，其為1.55pF。這兩個數據再度顯示了測試數據和建模數據之間的良好的相關性。
不僅單頻點的估算外，我們在圖6展示了并聯電容的掃頻測試結果。結果同樣顯示了兩種方式獲得的S參數具有高度的相關性。
高功率內阻廣泛應用于功率分配電路。因為射頻散射場在內阻膜和地之間產生的并聯等效電容（并聯端到地）弄成了一個重要的設計參數。等效電容的典型值通常給出的都是在1MHz的頻度測得的。但是，在GHz的頻段，對設計來說，一個高頻的等效電容值會更有參考意義。
本文簡述了提取并聯等效電容的測試方式和過程。EM建模數據和測試數據的高相關性說明等效并聯內阻可以通過測試S參數的方式來獲取。