圖中RS即為串聯內阻：包括電瓶的體內阻、表面內阻、電極內阻、電極與硅表接觸內阻等Rsh為旁漏內阻即為并聯內阻，為單晶硅邊沿不清潔及內部缺陷導致
RS很小，Rsh很大理想情況下可以忽視，Ish很小
串并聯內阻對填充因子（FF）影響很大，串聯內阻Rs越高，填充電壓驟降越多，填充因子降低的越多，并聯內阻降低的越多療效相同。
對于旁漏內阻的特別好的解釋：
【1】并聯內阻是為了解釋分流現象而引入的一個概念，實際上是不存在這樣一個內阻的。
舉個簡單的事例，一10A的恒流源接一10歐的阻值，那里面有10A的電壓，假如再給它并聯一個10歐的阻值，那它前面的電壓只有5A了，還有5A分給了另外一個，這就是并聯內阻造成的分流效應。一定的光強下光生電壓是一定的，假如電瓶片邊沿蝕刻沒刻斷或則體內有區域性高導雜質，就會導致分流，致使穿過P-N結勢壘的電壓降低，相當于和結區并聯了一個內阻，并聯內阻越小分流效應越顯著，所以我們希望它越大越好.
【2】并聯內阻是一個用于描述電瓶特點的基本的概念。
如樓上所述，并聯內阻不是一個實體內阻。并且，并聯內阻又與實體內阻有關。
理論上，對于單p-n太陽電瓶，可以構建電路模型，常規的教材中均有這樣的模型，可以給出一個串聯內阻、并聯內阻等等綜合在一起的公式描述電壓隨電流的變化。
并且對于實際的電瓶和組件電阻并聯功率怎么計算，影響的誘因特別多，例如：
1、硅片邊沿的漏電通道（灰塵可以導致）；
2、薄膜電瓶中因為薄膜沉積質量差，存在針眼造成的漏電通道；
3、薄膜組件中串聯集成時造成的漏電通道。
4、.........
為此，實際的檢測系統中，是將光I－V特點曲線的接近V＝0的部份，或進行物理擬合后，或直接估算（dI/dV）的倒數，實際上就是光I-V曲線的接近V＝0的位置的微分的倒數。
這樣的處理，對于FF較差的電瓶和組件，才能定性/半定量地將串聯內阻用于工藝優化和剖析。而對于FF較好的電瓶和組件電阻并聯功率怎么計算，因為測試設備所測聯通號的起伏、以及所用物理擬合方式的局限，同一片樣品，多次檢測的重復性都很差的。
為此，好多檢測系統，就不給出所謂并聯內阻的數據。
Rs、Rsh與其他參數究竟有哪些關系？這個問題搞的我很暈
例如：RsRsh與填充因子FF哪些關系或則說FF隨RsRsh如何變化？
RsRsh與漏電電壓Isc和Voc有哪些關系？如何變化的
串聯內阻=晶圓碳化物內阻+擴散小方塊內阻+柵線內阻+焙燒后的接觸內阻
碳化物內阻由晶圓決定。擴散小方塊內阻可以調節，但又伴隨著結深的變化。柵線內阻主要靠絲網彩印參數決定，重要的是柵線的清晰度和高寬比（越大越好）。其實，若單純的降低串聯內阻，柵線可以很寬，但高度較低，而且會減小遮光面積。接觸內阻主要看焙燒。
串聯內阻Rs影響漏電電壓，Rs增會議使漏電電壓增加，而對開路電流沒有影響。
并聯內阻反映的是電瓶的短路水平。漏電壓理論上可以歸結到并聯內阻上。
并聯內阻影響太陽電瓶開路電流，Rsh降低會使開路電流增加，但對漏電電壓基本沒有影響。
太陽能電板的填充因子FF可定義為最大輸出功率Pm與IscVoc之比，也就是最大功率圓形面積對IscVoc圓形面積比列。對于太陽能電板說，填充因子是一個重要的參數，他可以反映太陽能電板的質量。太陽能電板的串聯內阻越小，并聯內阻越大，填充系數就越大，反映到太陽能電板的電壓—電壓特點曲線上，曲線就越接近正圓形，此時太陽能電板的轉換效率就越高。
