元器件應(yīng)用中如何區(qū)分晶閘管的直流內(nèi)阻和動(dòng)態(tài)內(nèi)阻
半導(dǎo)體三極管是一種非線性元件，對(duì)直流和交流（或動(dòng)態(tài)量）呈現(xiàn)不同的等效電阻值。 晶閘管的直流內(nèi)阻是工作在伏安特性上某一點(diǎn)時(shí)，端電流與其電壓的比值。 圖（a）電路（b）晶閘管伏安特性及工作點(diǎn)Q（c）晶閘管在直流電源V作用下的直流內(nèi)阻，該點(diǎn)對(duì)應(yīng)三極管的電壓ID和電流UD在晶閘管的兩端稱為靜態(tài)工作點(diǎn)，該點(diǎn)對(duì)應(yīng)的直流內(nèi)阻為動(dòng)態(tài)內(nèi)阻，它以固定的直流電流和電壓（即靜態(tài)工作點(diǎn)Q）為基礎(chǔ)，而交流信號(hào)ui使特性曲線在Q點(diǎn)附近的電流和電壓的小范圍內(nèi)變化而形成。如果交流信號(hào)ui為低頻，但幅值很小（一般稱為低頻小信號(hào)），則
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電子實(shí)驗(yàn)的最后準(zhǔn)備（南油北院）
適用于計(jì)算機(jī)大學(xué)總院北苑電子鉗工實(shí)驗(yàn)（一）課程【如無修訂】?jī)?nèi)容包括：非線性內(nèi)阻的伏安特性：發(fā)光晶閘管的使用，伏安關(guān)系曲線（導(dǎo)通點(diǎn)、穩(wěn)壓點(diǎn)、作圖注意事項(xiàng)）戴維南電路和諾頓電路常用電子儀器實(shí)驗(yàn)：示波器、信號(hào)發(fā)生器等一階電路的前饋響應(yīng)：時(shí)間常數(shù)的估計(jì)和測(cè)量、記憶公式、作圖實(shí)驗(yàn)波形，三元估計(jì)和檢測(cè)方法 RLC串聯(lián)諧振電路：公式，波形，設(shè)計(jì)，聯(lián)發(fā)科/低通電路 晶體管的基本應(yīng)用：限幅器，卷積電路，設(shè)計(jì)晶體管 單極電流放大電路：公式，設(shè)計(jì)，波形，失真原因、設(shè)計(jì)失真、示波器耦合形式 差分放大電路：九組公式、示波器耦合形式、示波器觀察雙端輸出波形 集成采集器的線性應(yīng)用和非線性應(yīng)用：示波器耦合形式、示意圖、公式 方波發(fā)生器彭氏回退檢測(cè)器電路
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電子仿真實(shí)驗(yàn)報(bào)告
電子仿真實(shí)驗(yàn)報(bào)告實(shí)驗(yàn) 1.1 晶閘管電路仿真實(shí)驗(yàn) 1、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1）學(xué)習(xí)使用.0軟件的技巧。 2）學(xué)會(huì)用直流掃描分析的方法驗(yàn)證晶閘管的伏安特性曲線。 3) 2.實(shí)驗(yàn)原理晶閘管具有雙向?qū)щ娦裕浞蔡匦允欠蔷€性的 3.實(shí)驗(yàn)形式（包括：理論估計(jì)、實(shí)驗(yàn)電路的創(chuàng)建、測(cè)試步驟、結(jié)果）圖、表，公式如下： 圖1 晶閘管正向測(cè)試電路（宋型，小五） 表1 晶閘管正向伏安特性檢測(cè)數(shù)據(jù) 10% 20% 30% 50% 70% 90% 0..1530.7381.8403.4808.433 .. ..50685.142 實(shí)驗(yàn)結(jié)果分析 從仿真數(shù)據(jù)可以看出，晶閘管D的內(nèi)阻值r不是一個(gè)固定值。 當(dāng)加在兩端的正向電流V大于導(dǎo)通電流U時(shí)，r呈現(xiàn)較大的正向內(nèi)阻，此時(shí)通過的正向電壓I特別小； 而當(dāng)V小于導(dǎo)通電流U時(shí)，I大大減小，r也隨之迅速減小，此時(shí)晶閘管工作在“正向?qū)▍^(qū)”。 晶閘管正向伏安曲線是非線性的。 (2)晶閘管反向伏安特性檢測(cè)分析Rw10%50%80%850%Vd/v12.562.49099...533Id/mA0...=Vd/...75306.3455.7數(shù)據(jù)分析推斷：可從仿真數(shù)據(jù)可以看出，晶閘管D的阻值r并不是固定值。
當(dāng)加在其兩端的反向電流V大于最高反向工作電流U時(shí)，內(nèi)阻r很大，此時(shí)通過的反向電壓I極小； 而當(dāng)V小于最高反向工作電流U時(shí)非線性電阻的測(cè)量實(shí)驗(yàn)報(bào)告，I大大減小，r也隨之迅速減小，此時(shí)晶閘管擊穿。 晶閘管反向伏安曲線呈非線性 (2) 晶閘管單向限幅電路分析 仿真數(shù)據(jù)分析及其推論：晶閘管具有雙向?qū)щ娦浴?從圖中可以看出，當(dāng)正向電流小于4.626V時(shí)，D1導(dǎo)通，當(dāng)電流大于1.351V時(shí)，D2導(dǎo)通。 反過來，該電路具有單向限制作用。 實(shí)驗(yàn)1.2：晶體二極管輸出特性仿真一：實(shí)驗(yàn)?zāi)康模?）學(xué)習(xí)使用虛擬伏安特性分析儀（IV-）觀察二極管輸出特性曲線（2）掌握二極管在輸出端的電壓放大倍數(shù)特性曲線 （三）掌握二極管輸出特性曲線電路測(cè)試方法 2、實(shí)驗(yàn)原理 二極管是一種非線性器件，其特性曲線可分為三個(gè)區(qū)域：飽和區(qū)、放大區(qū)和截止區(qū)。 根據(jù)其伏安特性，可以看出二極管具有電壓放大作用三：實(shí)驗(yàn)內(nèi)容（1）用電測(cè)畫出三極管的輸出特性曲線（在圖上畫出三極管的輸出特性曲線根據(jù)測(cè)得的數(shù)據(jù)在紙上，畫在曲線上 求三極管工作點(diǎn)Q處的直流放大倍數(shù)）
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電路分析基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)-電路器件伏安特性測(cè)繪.ppt
電路分析基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn) 電路器件伏安特性測(cè)繪 一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1、學(xué)習(xí)常用電路器件的識(shí)別方法。 2、掌握線性器件和非線性器件的伏安特性測(cè)繪。 3、掌握DC鉗工儀器設(shè)備在試驗(yàn)臺(tái)上的使用。 2、原理描述 任何二端器件的特性都可以用器件上的端電流U與通過器件的電壓I之間的函數(shù)關(guān)系I=f(U)來表示，即可以表示為IU平面上的一條曲線，這條曲線稱為器件的伏安特性曲線。 1、線性內(nèi)阻的伏安特性曲線是一條通過坐標(biāo)原點(diǎn)的直線，如圖a所示，直線的斜率等于內(nèi)阻的內(nèi)阻值。 2、普通白熾燈的鎢絲在工作時(shí)處于低溫狀態(tài)，鎢絲內(nèi)阻隨溫度下降而減小。 通過白熾燈的電壓越大，溫度越高，電阻也越大。 “冷內(nèi)阻”和“熱內(nèi)阻”的阻值可以相差幾倍到十幾倍，所以它的伏安特性如圖中b曲線所示。 3、通常的半導(dǎo)體三極管是非線性內(nèi)阻器件，其伏安特性如圖中c所示。 正向壓降很小（通常的鍺管約為0.2-0.3V，硅管約為0.5-0.7V），正向壓降隨正向壓降的減小而急劇上升，而反向電流仍在從零下降到十幾伏到幾十伏時(shí)，反向電壓下降很小，可以簡(jiǎn)單的認(rèn)為是零。可見晶閘管是雙向?qū)ǖ模欠聪螂娏髟黾恿?span style="display:none">oHf物理好資源網(wǎng)(原物理ok網(wǎng))
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穩(wěn)態(tài)濾波器RL串聯(lián)電路參數(shù)在線辨識(shí)（2006）
【摘要】：為解決濾波器激勵(lì)下具有豐富非線性特性的內(nèi)阻和電感(RL)串聯(lián)電路參數(shù)在線辨識(shí)問題,提出了一種提取伏安曲線幾何特征和廣義磁鏈跡線進(jìn)行參數(shù)辨識(shí)的新技術(shù)。建議的。 該方法采用最小二乘相加法定義伏安曲線的斜率和廣義磁通軌跡的復(fù)圖，通過直線擬合直接識(shí)別參數(shù)。 從端口能量和功率的角度，討論了算法的化學(xué)性質(zhì)。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該算法具有識(shí)別準(zhǔn)確率高、計(jì)算量小、易于遞歸等優(yōu)點(diǎn)，適用于動(dòng)態(tài)實(shí)時(shí)在線識(shí)別，克服了傳統(tǒng)基于變換的方法存在的問題，具有估計(jì)量大，結(jié)果取決于信號(hào)的頻譜分布。
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: 超級(jí)電容器 CC 和 CV 實(shí)驗(yàn)的解剖工具
表目錄 歡迎！ 這是一個(gè)用于剖析雙電極對(duì)稱超級(jí)電容器的恒流?? (CC) 曲線和循環(huán)伏安法 (CV) 曲線的庫(kù)。 它提供了一種簡(jiǎn)單、標(biāo)準(zhǔn)化的方法來快速?gòu)?CC 和 CV 數(shù)據(jù)中提取有用信息，包括超級(jí)電容器電容和等效串聯(lián)電阻 (ESR) 以及它們?nèi)绾坞S周期變化，并提供多種選項(xiàng)以滿足科學(xué)需求。 超級(jí)電容器研究。 CC 分析 對(duì)于 CC 分析，通過線性擬合每個(gè)充電/放電循環(huán)中放電斜率的后半部分來估算電容。 對(duì)于重量電容，()：電物理電池中兩個(gè)電極之一的質(zhì)量，是另一個(gè)的質(zhì)量，均以g為單位； I 是 A 中用于 CC 分析的電壓； 是放電斜率，是電流 (V) 相對(duì)于時(shí)間 (s) 的變化。 對(duì)于非重力電容 (F)：I 是 A 中的電壓，是時(shí)間 (s) 相對(duì)于電流 (V) 的變化。 用電壓降估算ESR（Ω）：放電曲線開始處有垂直電壓降（單位為V），如右圖； 我
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非線性內(nèi)阻器件在元器件應(yīng)用中的伏安特性
非線性內(nèi)阻器件的電流與電流的關(guān)系不能用歐姆定律來描述，其伏安特性通常是曲線。 白熾燈和半導(dǎo)體晶體管的伏安特性曲線如右圖所示。 白熾燈的伏安特性如圖1中曲線bb所示。白熾燈的伏安特性曲線對(duì)稱于坐標(biāo)原點(diǎn)，因此具有單向特性。 白熾燈工作時(shí)非線性電阻的測(cè)量實(shí)驗(yàn)報(bào)告，鎢絲處于低溫狀態(tài)，鎢絲內(nèi)阻隨溫度下降而減小。 通過白熾燈的電壓越大，溫度越高，電阻也越大。 另外，白熾燈的“冷內(nèi)阻”和“熱內(nèi)阻”的阻值可以相差幾倍到幾十倍，所以白熾燈是非線性器件。 半導(dǎo)體三極管也是一種非線性內(nèi)阻器件，其伏安特性如圖1中cc曲線所示。晶閘管的正向壓降很小（鍺晶閘管通常為0.2-0.3V左右，而硅晶閘管通常約為0.5-0。
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模塊化電動(dòng)實(shí)驗(yàn)方案報(bào)告
題目：非線性內(nèi)阻電路及其應(yīng)用研究——非線性內(nèi)阻電路 摘要：采用串聯(lián)分解法和并聯(lián)分解法，設(shè)計(jì)了兩種非線性內(nèi)阻電路，分別滿足兩種要求的伏安特性曲線。 使用.0軟件仿真得到所需的電路連接伏安特性、元器件參數(shù)、非線性內(nèi)阻串并聯(lián)對(duì)電路的影響。 關(guān)鍵詞：非線性內(nèi)阻電路，伏安特性，仿真，凹內(nèi)阻，凸內(nèi)阻，串聯(lián)分解，并聯(lián)分解應(yīng)用前景十分廣闊。 非線性內(nèi)阻電路也是研究混沌現(xiàn)象的基礎(chǔ)。 通過非線性內(nèi)阻電路的學(xué)習(xí)，掌握各二端內(nèi)阻器件的伏安特性，并利用它們組成非線性內(nèi)阻電路，初步了解非線性內(nèi)阻電路的應(yīng)用。 設(shè)計(jì)要求： (1)利用晶閘管、穩(wěn)壓器、穩(wěn)流器設(shè)計(jì)如圖所示的具有伏安特性的非線性內(nèi)阻電路。 (2) 檢測(cè)設(shè)計(jì)電路的伏安特性并繪制曲線，并與圖進(jìn)行比較
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壓敏電阻在元器件應(yīng)用中的伏安特性曲線
壓敏電阻是利用半導(dǎo)體材料的非線性伏安特性制成的電壓敏感器件。 圖為壓敏電阻的伏安特性曲線。 可以看出，它是一條對(duì)稱的非線性曲線。 當(dāng)外加電流較小時(shí)，流過內(nèi)阻的電壓很小，壓敏電阻處于高阻狀態(tài)； 當(dāng)外加電流達(dá)到或超過壓敏電阻電流時(shí)，壓敏電阻阻值急劇下降并迅速導(dǎo)通，其工作電壓將降低幾個(gè)數(shù)量級(jí)，從而有效保護(hù)電路中其他器件不被損壞因缺相而毀壞。圖：壓敏電阻伏安特性曲線
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