元器件應用中如何區分晶閘管的直流內阻和動態內阻
半導體三極管是一種非線性元件，對直流和交流（或動態量）呈現不同的等效電阻值。 晶閘管的直流內阻是工作在伏安特性上某一點時，端電流與其電壓的比值。 圖（a）電路（b）晶閘管伏安特性及工作點Q（c）晶閘管在直流電源V作用下的直流內阻，該點對應三極管的電壓ID和電流UD在晶閘管的兩端稱為靜態工作點，該點對應的直流內阻為動態內阻，它以固定的直流電流和電壓（即靜態工作點Q）為基礎，而交流信號ui使特性曲線在Q點附近的電流和電壓的小范圍內變化而形成。如果交流信號ui為低頻，但幅值很小（一般稱為低頻小信號），則
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電子實驗的最后準備（南油北院）
適用于計算機大學總院北苑電子鉗工實驗（一）課程【如無修訂】內容包括：非線性內阻的伏安特性：發光晶閘管的使用，伏安關系曲線（導通點、穩壓點、作圖注意事項）戴維南電路和諾頓電路常用電子儀器實驗：示波器、信號發生器等一階電路的前饋響應：時間常數的估計和測量、記憶公式、作圖實驗波形，三元估計和檢測方法 RLC串聯諧振電路：公式，波形，設計，聯發科/低通電路 晶體管的基本應用：限幅器，卷積電路，設計晶體管 單極電流放大電路：公式，設計，波形，失真原因、設計失真、示波器耦合形式 差分放大電路：九組公式、示波器耦合形式、示波器觀察雙端輸出波形 集成采集器的線性應用和非線性應用：示波器耦合形式、示意圖、公式 方波發生器彭氏回退檢測器電路
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電子仿真實驗報告
電子仿真實驗報告實驗 1.1 晶閘管電路仿真實驗 1、實驗目的 1）學習使用.0軟件的技巧。 2）學會用直流掃描分析的方法驗證晶閘管的伏安特性曲線。 3) 2.實驗原理晶閘管具有雙向導電性，其伏安特性是非線性的 3.實驗形式（包括：理論估計、實驗電路的創建、測試步驟、結果）圖、表，公式如下： 圖1 晶閘管正向測試電路（宋型，小五） 表1 晶閘管正向伏安特性檢測數據 10% 20% 30% 50% 70% 90% 0..1530.7381.8403.4808.433 .. ..50685.142 實驗結果分析 從仿真數據可以看出，晶閘管D的內阻值r不是一個固定值。 當加在兩端的正向電流V大于導通電流U時，r呈現較大的正向內阻，此時通過的正向電壓I特別小； 而當V小于導通電流U時，I大大減小，r也隨之迅速減小，此時晶閘管工作在“正向導通區”。 晶閘管正向伏安曲線是非線性的。 (2)晶閘管反向伏安特性檢測分析Rw10%50%80%850%Vd/v12.562.49099...533Id/mA0...=Vd/...75306.3455.7數據分析推斷：可從仿真數據可以看出，晶閘管D的阻值r并不是固定值。
當加在其兩端的反向電流V大于最高反向工作電流U時，內阻r很大，此時通過的反向電壓I極小； 而當V小于最高反向工作電流U時非線性電阻的測量實驗報告，I大大減小，r也隨之迅速減小，此時晶閘管擊穿。 晶閘管反向伏安曲線呈非線性 (2) 晶閘管單向限幅電路分析 仿真數據分析及其推論：晶閘管具有雙向導電性。 從圖中可以看出，當正向電流小于4.626V時，D1導通，當電流大于1.351V時，D2導通。 反過來，該電路具有單向限制作用。 實驗1.2：晶體二極管輸出特性仿真一：實驗目的（1）學習使用虛擬伏安特性分析儀（IV-）觀察二極管輸出特性曲線（2）掌握二極管在輸出端的電壓放大倍數特性曲線 （三）掌握二極管輸出特性曲線電路測試方法 2、實驗原理 二極管是一種非線性器件，其特性曲線可分為三個區域：飽和區、放大區和截止區。 根據其伏安特性，可以看出二極管具有電壓放大作用三：實驗內容（1）用電測畫出三極管的輸出特性曲線（在圖上畫出三極管的輸出特性曲線根據測得的數據在紙上，畫在曲線上 求三極管工作點Q處的直流放大倍數）
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電路分析基礎實驗-電路器件伏安特性測繪.ppt
電路分析基礎實驗 電路器件伏安特性測繪 一、實驗目的 1、學習常用電路器件的識別方法。 2、掌握線性器件和非線性器件的伏安特性測繪。 3、掌握DC鉗工儀器設備在試驗臺上的使用。 2、原理描述 任何二端器件的特性都可以用器件上的端電流U與通過器件的電壓I之間的函數關系I=f(U)來表示，即可以表示為IU平面上的一條曲線，這條曲線稱為器件的伏安特性曲線。 1、線性內阻的伏安特性曲線是一條通過坐標原點的直線，如圖a所示，直線的斜率等于內阻的內阻值。 2、普通白熾燈的鎢絲在工作時處于低溫狀態，鎢絲內阻隨溫度下降而減小。 通過白熾燈的電壓越大，溫度越高，電阻也越大。 “冷內阻”和“熱內阻”的阻值可以相差幾倍到十幾倍，所以它的伏安特性如圖中b曲線所示。 3、通常的半導體三極管是非線性內阻器件，其伏安特性如圖中c所示。 正向壓降很小（通常的鍺管約為0.2-0.3V，硅管約為0.5-0.7V），正向壓降隨正向壓降的減小而急劇上升，而反向電流仍在從零下降到十幾伏到幾十伏時，反向電壓下降很小，可以簡單的認為是零。可見晶閘管是雙向導通的，但是反向電流增加了
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穩態濾波器RL串聯電路參數在線辨識（2006）
【摘要】：為解決濾波器激勵下具有豐富非線性特性的內阻和電感(RL)串聯電路參數在線辨識問題,提出了一種提取伏安曲線幾何特征和廣義磁鏈跡線進行參數辨識的新技術。建議的。 該方法采用最小二乘相加法定義伏安曲線的斜率和廣義磁通軌跡的復圖，通過直線擬合直接識別參數。 從端口能量和功率的角度，討論了算法的化學性質。 實驗結果表明，該算法具有識別準確率高、計算量小、易于遞歸等優點，適用于動態實時在線識別，克服了傳統基于變換的方法存在的問題，具有估計量大，結果取決于信號的頻譜分布。
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: 超級電容器 CC 和 CV 實驗的解剖工具
表目錄 歡迎！ 這是一個用于剖析雙電極對稱超級電容器的恒流?? (CC) 曲線和循環伏安法 (CV) 曲線的庫。 它提供了一種簡單、標準化的方法來快速從 CC 和 CV 數據中提取有用信息，包括超級電容器電容和等效串聯電阻 (ESR) 以及它們如何隨周期變化，并提供多種選項以滿足科學需求。 超級電容器研究。 CC 分析 對于 CC 分析，通過線性擬合每個充電/放電循環中放電斜率的后半部分來估算電容。 對于重量電容，()：電物理電池中兩個電極之一的質量，是另一個的質量，均以g為單位； I 是 A 中用于 CC 分析的電壓； 是放電斜率，是電流 (V) 相對于時間 (s) 的變化。 對于非重力電容 (F)：I 是 A 中的電壓，是時間 (s) 相對于電流 (V) 的變化。 用電壓降估算ESR（Ω）：放電曲線開始處有垂直電壓降（單位為V），如右圖； 我
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非線性內阻器件在元器件應用中的伏安特性
非線性內阻器件的電流與電流的關系不能用歐姆定律來描述，其伏安特性通常是曲線。 白熾燈和半導體晶體管的伏安特性曲線如右圖所示。 白熾燈的伏安特性如圖1中曲線bb所示。白熾燈的伏安特性曲線對稱于坐標原點，因此具有單向特性。 白熾燈工作時非線性電阻的測量實驗報告，鎢絲處于低溫狀態，鎢絲內阻隨溫度下降而減小。 通過白熾燈的電壓越大，溫度越高，電阻也越大。 另外，白熾燈的“冷內阻”和“熱內阻”的阻值可以相差幾倍到幾十倍，所以白熾燈是非線性器件。 半導體三極管也是一種非線性內阻器件，其伏安特性如圖1中cc曲線所示。晶閘管的正向壓降很小（鍺晶閘管通常為0.2-0.3V左右，而硅晶閘管通常約為0.5-0。
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模塊化電動實驗方案報告
題目：非線性內阻電路及其應用研究——非線性內阻電路 摘要：采用串聯分解法和并聯分解法，設計了兩種非線性內阻電路，分別滿足兩種要求的伏安特性曲線。 使用.0軟件仿真得到所需的電路連接伏安特性、元器件參數、非線性內阻串并聯對電路的影響。 關鍵詞：非線性內阻電路，伏安特性，仿真，凹內阻，凸內阻，串聯分解，并聯分解應用前景十分廣闊。 非線性內阻電路也是研究混沌現象的基礎。 通過非線性內阻電路的學習，掌握各二端內阻器件的伏安特性，并利用它們組成非線性內阻電路，初步了解非線性內阻電路的應用。 設計要求： (1)利用晶閘管、穩壓器、穩流器設計如圖所示的具有伏安特性的非線性內阻電路。 (2) 檢測設計電路的伏安特性并繪制曲線，并與圖進行比較
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壓敏電阻在元器件應用中的伏安特性曲線
壓敏電阻是利用半導體材料的非線性伏安特性制成的電壓敏感器件。 圖為壓敏電阻的伏安特性曲線。 可以看出，它是一條對稱的非線性曲線。 當外加電流較小時，流過內阻的電壓很小，壓敏電阻處于高阻狀態； 當外加電流達到或超過壓敏電阻電流時，壓敏電阻阻值急劇下降并迅速導通，其工作電壓將降低幾個數量級，從而有效保護電路中其他器件不被損壞因缺相而毀壞。圖：壓敏電阻伏安特性曲線
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