為提高廣大黨員業務能力和科學素質，認識了解現今世界高新技術的最新發展進程和發展趨勢，1月5日凌晨，市文聯、科技局聯合召開“創新講堂”活動，市文聯、科技局領導班子成員、機關工作人員以及下屬事業單位共計100多人出席了這次學習。
現場約請了中國科大學數學研究所博士生導師、研究員、課題主任張建軍院士做“量子科技與應用”專題講堂，他從量子技術的概念、量子通訊技術的應用以及量子估算的發展等幾個方面出發，用相對淺顯的語言和事例，分享了量子科技的最新發展趨勢和應用方向，帶著你們展現了量子科技的奧秘。講堂中張院長通過深入淺出的講解，生動形象的例子將原先艱深、抽象的數學學名詞娓娓道來鍺與量子通訊，導致了在場人員昂貴的興趣。在講課結束后，現場出席人員紛紛提出了自己對于量子學的疑惑，張建軍針對你們的問題一一進行解答，讓你們的問題及時得到解決并對量子學有了更深入的了解。
這次講堂，寬廣了黨員隊伍視野，擴寬了知識直徑，提高了精神境界，深切的感遭到了前沿高新科技對國家發展的重要作用。廣大機關黨員紛紛表示，下一步要認真吸收授課精神，將學習成果轉化為具體措施，圍繞縣委市政府的中心工作，牢牢掌握高質量發展的根本主線，為我市“重要窗口建設”和經濟高質量發展貢獻文聯力量。
接出來，市文聯、科技局將繼續積極依托各自已有的學習平臺，整合優勢資源，約請到前沿科學領域的國外著名專家學者，對現今世界以及當代中國發展中的熱點、難點和焦點問題，舉辦多種方式的集中學習活動。
張建軍
男，中國科大學數學研究所博士生導師，研究員鍺與量子通訊，課題主任。
教育和工作經歷：
1997-2004年長沙學院化學系專科、碩士；2005-2010年美國馬普固體研究所和澳大利亞約翰開普勒學院聯合培養博士；2010-2012年美國萊布尼茲固體和材料研究所從事博士后研究；2013-2014年美國量子估算和通信技術卓越中心獨立從事原子尺度半導體元件研究；2014年加入中國科大學數學研究所，兼任2016年創立的半導體量子材料與元件課題組(N09)主任。
其團隊目前的研究重點主要集中在：(1)面向量子估算的硅基量子芯片材料，包括半導體量子點、量子線和量子薄膜原子尺度的外延生長和物性表征；（2）面向硅基光電子集成的材料和元件，包括CMOS工藝兼容的硅基III-V族InAs/GaAs材料外延、器件和光電子集成研究。
獲得成果：
1.發覺了在硅襯底上大規模生長鍺量子線的新方式，在零維量子點被發覺22年以后把它推廣到了一維量子線(PRL109,(2012))；實現了晶片級硅基鍺量子線的自組裝定位生長并觀測到可電場調控的強載流子軌道作用(Adv.Mater.32,(2020))；合作實現了國際首個鍺量子比特以及量子點和超導微波諧振腔的耦合，受邀為國際頂尖刊物《》合寫了綜述論文“TheRoute”。
2.有效克服了硅上生長多晶硅存在極性失配、晶格失配和熱失配的歷史困局(APL113,(2018);OME10,1045(2020))，實現了高性能Si(001)及SOI基InAs/GaAs量子點激光器等，對實現單片集成硅光芯片具有重要意義。