根據(jù)歐姆定律：I=（8-U)/4
所以：2=I+U/4
從圖像上找到符合上式的點，其中的電流I就是通過該元件的電流
并聯(lián)時：2I=(8-U)/4 (其中每個支路的電流沒為I)
所以：2=2I+U/4
同理從圖像上找到符合上式的點，記下U和I,其中的電流I就是通過其中一個元件的電流，
所以，功率為UI.
伏安特性曲線
伏安特性曲線圖常用縱坐標表示電流I、橫坐標表示電壓U，以此畫出的I-U圖像叫做導體的伏安特性曲線圖。這種圖像常被用來研究導體電阻的變化規(guī)律，是物理學常用的圖像法之一。
二極管伏安特性曲線相關(guān)原理：
加在PN結(jié)兩端的電壓和流過二極管的電流之間的關(guān)系曲線稱為伏安特性曲線。
正向特性：u>0的部分稱為正向特性。
反向特性：u<0的部分稱為反向特性。
反向擊穿：當反向電壓超過一定數(shù)值U（BR）后，反向電流急劇增加，稱之反向擊穿。
勢壘電容：耗盡層寬窄變化所等效的電容稱為勢壘電容Cb。
變?nèi)荻O管：當PN結(jié)加反向電壓時，Cb明顯隨u的變化而變化，而制成各種變?nèi)荻O管。如下圖所示。
PN結(jié)的勢壘電容
平衡少子：PN結(jié)處于平衡狀態(tài)時的少子稱為平衡少子。
非平衡少子：PN結(jié)處于正向偏置時，從P區(qū)擴散到N區(qū)的空穴和從N區(qū)擴散到P區(qū)的自由電子均稱為非平衡少子。
擴散電容：擴散區(qū)內(nèi)電荷的積累和釋放過程與電容器充、放電過程相同，這種電容效應(yīng)稱為Cd。
