|遠(yuǎn)見
|遠(yuǎn)見閔青云選編
過去一年，全球繼續(xù)陷入「芯片荒」，國際芯片技術(shù)壁壘不斷壓低，我國芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展的外部環(huán)境日趨嚴(yán)峻復(fù)雜。黨的二十大報告提出：「以國家戰(zhàn)略需求為導(dǎo)向，聚集力量進(jìn)行原創(chuàng)性推動性科技攻關(guān)，堅決打贏關(guān)鍵核心技術(shù)攻堅戰(zhàn)。」國內(nèi)芯片技術(shù)的突破，除了承載著我國打破西方科技霸權(quán)和突破芯片產(chǎn)業(yè)技術(shù)困局的雙重使命，也承載著以基礎(chǔ)研究賦能百業(yè)、以先進(jìn)科技支撐產(chǎn)業(yè)升級的希望。
有鑒于此，北京交通學(xué)院-愛思維爾Chip刊物編輯部發(fā)起「Chip2022年度中國十大芯片研究進(jìn)展（-C22）」評選活動，借以梳理、盤點我國芯片科研領(lǐng)域2022年度標(biāo)志性進(jìn)展，致敬和激勵我國廣大芯片科研工作者的科學(xué)熱情和奉獻(xiàn)精神，提高我國前沿芯片科研的大眾關(guān)注度，推動「中國芯」發(fā)展。
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-C22備選條目如下
（排行不分先后，備選進(jìn)展詳情請看下文，30選10）
備選研究進(jìn)展詳情：
1亞1納米載流子寬度晶體管的首次實現(xiàn)
復(fù)旦學(xué)院任天令和田禾團(tuán)隊借助石墨烯薄膜纖薄的單原子層寬度和優(yōu)異的導(dǎo)電性能作為基極量子通訊陣列，通過石墨烯側(cè)向電場控制垂直的碳化物溝道的開關(guān)，使等效的化學(xué)柵寬度降為0.34納米，之后通過在石墨烯表面沉積金屬鋁并使其自然氧化，完成了對石墨烯垂直方向電場的屏蔽。隨后，科研人員使用原子層沉積的二氧化鉿作為載流子介質(zhì)、化學(xué)液相沉積的雙層二維碳化物作為溝道，最終完成了具有亞1納米載流子寬度的晶體管。這項工作推進(jìn)了摩爾定理進(jìn)一步發(fā)展到亞1納米級別，同時為二維薄膜在未來集成電路的應(yīng)用提供了參考根據(jù)。該成果發(fā)表于《自然》（）刊物上。
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2基于三維阻變儲存器存內(nèi)估算宏芯片
中國科大學(xué)微電子研究所劉明團(tuán)隊研制了基于三維阻變儲存器存內(nèi)估算宏芯片。科研人員將多值自選通（Multi-levelself-，MLSS）三維垂直阻變儲存器與抗甩尾多位模擬輸入殘差乘（）方案相結(jié)合，實現(xiàn)了萊西度估算；在抗甩尾多位模擬輸入殘差乘方案基礎(chǔ)上提出了電壓幅值離散整形（CADS）電路用于降低讀出電壓的感知容限（SM）用于后續(xù)精確的模擬加法估算，解決了因為三維阻變儲存器陣列單元濁度波動造成的在傳統(tǒng)并行字線輸入原位乘累加方案下不可恢復(fù)的讀出電流失真；采用nA級操作電壓的三維垂直阻變儲存器陣列增加系統(tǒng)幀率，同時引入具有柵預(yù)充電開關(guān)追隨器（GPSF）的模擬乘法器與直接小電壓模數(shù)轉(zhuǎn)換器增加延時。當(dāng)輸入、權(quán)重和輸出數(shù)據(jù)分別為8位、9位和22位時，位密度為58.2bitμm?2，能效為8.32TOPSW?1。與傳統(tǒng)方式相比，本工作提供了更確切的腦部MRI邊沿檢查和更高的CIFAR-10數(shù)據(jù)集推理精度。該成果發(fā)表于《自然?電子》（）刊物上。
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3玻骰子奇特金屬的首次發(fā)覺和否認(rèn)
電子科技學(xué)院李言榮團(tuán)隊與日本布朗學(xué)院JamesM.Jr，中國科大學(xué)教授、北京學(xué)院謝心澄、王健，上海師范學(xué)院短發(fā)文和湖南學(xué)院的專家等，成功突破了費米子體系的限制，首次在玻骰子體系中誘導(dǎo)出奇特金屬態(tài)。該成果發(fā)表于《自然》（）刊物上。
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4超高熱導(dǎo)率半導(dǎo)體-砷化硼自旋遷移率的精準(zhǔn)測定
國家納米科學(xué)中心劉新風(fēng)團(tuán)隊聯(lián)合多倫多學(xué)院包吉明團(tuán)隊和任志鋒團(tuán)隊首次測定超高熱導(dǎo)率半導(dǎo)體-砷化硼的自旋遷移率。立方砷化硼高的自旋和熱自旋遷移速度，以及其超高的熱導(dǎo)率，表明其可以廣泛應(yīng)用在光電元件、電子器件中。該研究工作理清了理論和實驗之間存在的巨大差別的具體緣由，為該材料的應(yīng)用指明了方向。該成果發(fā)表表于《科學(xué)》（）刊物上。
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5憶阻器玻色取樣的量子優(yōu)越性
重慶交通學(xué)院金賢敏團(tuán)隊提出了一種受「憶阻器」機(jī)制所啟發(fā)的新型玻色取樣方案，稱之為「憶阻器玻色取樣」()。通過循環(huán)結(jié)構(gòu)，致使相同時間塊內(nèi)以及不同時間塊間的量子干涉效應(yīng)可以分別獨立的記錄和剖析。每一個時間塊都包含了n個光子及m個模式，通過多次的時間復(fù)用，實驗的光子數(shù)和模式數(shù)隨重復(fù)次數(shù)N線性下降。該方案成功將隨機(jī)散射玻色取樣（）與時間自由度融合，降低了總體的估算復(fù)雜度。從原理上來說，問題的規(guī)模可以拓展到無限大。該成果發(fā)于《芯片》（Chip）刊物上。
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6單層碳化物在藍(lán)寶石上的均勻成核與外延生長
西南學(xué)院王金蘭團(tuán)隊與北京學(xué)院王欣然團(tuán)隊，提出了借助外延襯底高原子臺階（~1.4nm）實現(xiàn)單層MoS?邊沿對齊成核的新機(jī)制。基于新機(jī)制，研究團(tuán)隊借助低溫固溶工藝，在藍(lán)寶石表面上獲得了均勻分布的高原子臺階，成功獲得了超過99%的單層MoS?形核，并實現(xiàn)了分米級的單層MoS?連續(xù)薄膜的可控生長。進(jìn)一步地，制造了單層MoS?溝道的場效應(yīng)晶體管元件陣列，該元件均一性得到了大幅度提高。該研究工作除了突破了大面積均勻單層MoS?的層數(shù)可控外延生長技術(shù)困局，實現(xiàn)了最高性能的MoS?晶體管元件，并且所提出的層數(shù)可控生長新機(jī)制有望進(jìn)一步拓展至其它二維材料體系的外延生長。該成果發(fā)表于《自然》（）刊物上。
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7基于存算一體的混和預(yù)編碼
復(fù)旦學(xué)院錢鶴、吳華強(qiáng)團(tuán)隊，Inc.以及中國聯(lián)通研究院合作，首次實現(xiàn)了面向5G/6GMIMO通訊系統(tǒng)的基于存算一體的混和預(yù)編碼。為了實現(xiàn)大規(guī)模MIMO混和預(yù)編碼所須要的大規(guī)模矩陣乘量子通訊陣列，該工作首次實現(xiàn)了128K全并行大規(guī)模模擬阻變儲存器陣列。為了解決大規(guī)模陣列中的IR-drop問題，該工作提出了一個緊湊模型以及相應(yīng)的補(bǔ)償方案。為了減少混和預(yù)編碼的估算復(fù)雜性，該工作設(shè)計了一種新的與CIM兼容的模擬預(yù)編碼算法框架和權(quán)重映射策略。最終，該工作實現(xiàn)了基于RRAM陣列的混和預(yù)編碼，其性能相對于基于FPGA的混和預(yù)編碼基本沒有增加，且有超過20倍的能效提高。該工作首次探究了基于RRAM陣列的存算通一體的可行性。該成果發(fā)表于集成電路領(lǐng)域頂會(IEDM)。
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8超導(dǎo)量子比特表面碼的重復(fù)糾錯的首次實現(xiàn)
中國科學(xué)技術(shù)學(xué)院潘建偉及其朋友彭承志、陸朝陽等，在祖沖之2.1超導(dǎo)量子處理器上實驗實現(xiàn)了一種由17個量子比特組成的距離為3的糾錯表面碼，首次實現(xiàn)表面碼的重復(fù)糾錯，這也是祖沖之號量子計算機(jī)首次實現(xiàn)糾錯。該成果發(fā)表于《物理評論快報》（）刊物上。
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9支持多細(xì)度稀疏的AI訓(xùn)練芯片
復(fù)旦學(xué)院魏少軍、尹首一團(tuán)隊在人工智能（AI）訓(xùn)練芯片方向取得突破。該團(tuán)隊設(shè)計的AI訓(xùn)練芯片，以實現(xiàn)場景自適應(yīng)的高能效模型訓(xùn)練為目標(biāo)，突破傳統(tǒng)AI訓(xùn)練芯片學(xué)習(xí)機(jī)制和電路實現(xiàn)的技術(shù)局限性，為高效AI模型訓(xùn)練提供了堅實的硬件基礎(chǔ)。該成果發(fā)表于集成電路領(lǐng)域頂尖刊物IEEEofSolid-State（JSSC）。
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10新型硅基光電子片上集成系統(tǒng)的問世
上海學(xué)院王興軍團(tuán)隊和日本加洲學(xué)院圣芭芭拉中學(xué)JohnE.團(tuán)隊，首次報導(dǎo)了由集成微腔光梳驅(qū)動的新型硅基光電子片上集成系統(tǒng)。研究團(tuán)隊通過直接由半導(dǎo)體激光器泵浦集成微腔光頻梳，給硅基光電子集成芯片提供了所需的光源腦部，結(jié)合硅基光電子集成技術(shù)工業(yè)上成熟可靠的集成解決方案，完成大規(guī)模集成系統(tǒng)的高效并行化。該成果發(fā)表于《自然》（）刊物上。
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11元成像芯片突破光學(xué)像差困局
復(fù)旦學(xué)院戴海南、方璐團(tuán)隊提出了一種集成化的元成像芯片構(gòu)架(Meta-)，為解決這一百年困局開辟了一條新路徑。區(qū)別于建立完美透鏡，研究團(tuán)隊另辟蹊徑，研發(fā)了一種超級傳感，記錄成像過程而非圖象本身，通過實現(xiàn)對非相干復(fù)雜光場的超精細(xì)感知與融合，雖然經(jīng)過不完美的光學(xué)透鏡與復(fù)雜的成像環(huán)境，仍然才能實現(xiàn)完美的三維光學(xué)成像。團(tuán)隊攻破了超精細(xì)光場感知與超精細(xì)光場融合兩大核心技術(shù)，以分布式感知突破空間帶寬積困局，以自組織融合實現(xiàn)多維多尺度高分辨重建，以此才能用對光線的數(shù)字調(diào)制來取代傳統(tǒng)光學(xué)系統(tǒng)中的數(shù)學(xué)模擬調(diào)制，并將其精度提高至光學(xué)衍射極限。這一技術(shù)解決了常年以來的光學(xué)像差困局，有望成為下一代通用像感器構(gòu)架，而無需改變現(xiàn)有的光學(xué)成像系統(tǒng)，帶來顛覆性的變化，將應(yīng)用于天文觀測，生物成像，醫(yī)療確診，聯(lián)通終端，工業(yè)測量，安防監(jiān)控等領(lǐng)域。該成果發(fā)表于《自然》（）刊物上。
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12光致VO?非易失相變的神經(jīng)形態(tài)光電傳感
中國科大學(xué)化學(xué)研究所金奎娟與中科院楊國楨團(tuán)隊，提出了一種基于紫外光輻照/電解質(zhì)調(diào)控VO?非易失相變的新型神經(jīng)形態(tài)光電傳感，元件凸顯出良好的線性度、保持特點、硅基兼容性。研究團(tuán)隊進(jìn)一步完善了人工神經(jīng)網(wǎng)路并演示了圖象辨識等功能。本研究將傳統(tǒng)紅外光學(xué)材料VO?的應(yīng)用拓展到紫外智能光電傳感器領(lǐng)域，為近傳感估算/傳感內(nèi)估算設(shè)計提供了新選擇。該成果發(fā)表于《自然?通信》（）刊物上。
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13雙層面內(nèi)異質(zhì)結(jié)的同步電/熱檢波
復(fù)旦學(xué)院張興、王海東與呂瑞濤合作，首次發(fā)覺雙層二維面內(nèi)異質(zhì)結(jié)材料可同時具有優(yōu)異的電、熱檢波特點，其電檢波比可達(dá)10?，熱檢波比最高可達(dá)96%。新型二維面內(nèi)異質(zhì)結(jié)元件除了具有原子長度、寬帶隙、高遷移率的優(yōu)點，而且在大功率工作條件下，材料熱導(dǎo)率順著特定方向獲得明顯提高，無需外界冷卻裝置即可急劇增加低溫?zé)狳c氣溫和熱撓度，提高元件性能、延長使用壽命。該發(fā)覺為研制新一代高性能電子芯片提供了新思路。該成果發(fā)表于《科學(xué)》（）刊物上。
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14性能倍增的場效應(yīng)儲能芯片
上海理工學(xué)院麥立強(qiáng)團(tuán)隊，提出了調(diào)制材料費米基態(tài)結(jié)構(gòu)實現(xiàn)儲能芯片性能倍增的新思路，通過設(shè)計打造場效應(yīng)儲能芯片，實現(xiàn)了電物理工況下材料費米面梯度的原位調(diào)控和性能提高。研究表明，通過在儲能材料中原位構(gòu)建梯度費米面結(jié)構(gòu)，擴(kuò)寬了材料的嵌入基態(tài)。施加場效應(yīng)后，離子遷移速度提升10倍，材料容量提升3倍以上。此項研究解決了費米面梯度對電物理反應(yīng)影響機(jī)制不明晰的科學(xué)困局，實現(xiàn)了納拉面容量與反應(yīng)電勢的協(xié)同提高，彌補(bǔ)了場效應(yīng)儲能芯片領(lǐng)域的空白，為儲能芯片在物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了科學(xué)基礎(chǔ)。該成果發(fā)表于Chem刊物上。
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(22)00258-3
15第二聲衰減率的首次觀測
中國科學(xué)技術(shù)學(xué)院潘建偉、姚星燦、陳宇翱等與法國胡輝合作，首次在處于強(qiáng)互相作用（幺正）極限下的費米超流體中觀測到了熵波衰減的臨界發(fā)散行為，闡明了該體系存在著一個可觀的相變臨界區(qū)，并獲得了熱導(dǎo)率與粘滯系數(shù)等重要的輸運系數(shù)。該項工作為理解強(qiáng)互相作用費米體系的量子輸運現(xiàn)象提供了重要的實驗信息，是借助量子模擬解決重要數(shù)學(xué)問題的一個范例。該成果發(fā)表于《科學(xué)》（）刊物上。
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16具有面內(nèi)反常霍爾效應(yīng)的異維超晶格結(jié)構(gòu)
成都理工學(xué)院周家東、姚裕貴和臺灣神戶學(xué)院Kazu、北京學(xué)院吳孝松、南洋理工學(xué)院劉政等，開創(chuàng)性地借助一步物理液相沉積法(CVD)打造出不同維度的異維超晶格結(jié)構(gòu)。該異維超晶格結(jié)構(gòu)是由二維層狀二硫化釩(VS?)和一維支鏈硫化釩(VS)的陣列所構(gòu)成的周期結(jié)構(gòu)，屬于單斜對稱的C2/m空間群，該異維超晶格凸顯出溫度面內(nèi)反常霍爾效應(yīng)。該工作為建立不同維度超晶格結(jié)構(gòu)，探求匯聚態(tài)化學(xué)新奇物性開辟了一條新的公路。該成果發(fā)表于《自然》（）刊物上。
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17拓?fù)鋾r間晶體的量子模擬的首次實現(xiàn)
復(fù)旦學(xué)院鄧東靈團(tuán)隊與四川學(xué)院王震、王浩華團(tuán)隊等，在超導(dǎo)系統(tǒng)中首次實驗實現(xiàn)了拓?fù)鋾r間晶體的全數(shù)字化量子模擬。團(tuán)隊提出了拓?fù)鋾r間晶體的理論模型，并通過人工智能算法找到了數(shù)字化量子模擬拓?fù)鋾r間晶體的優(yōu)化方案。該研究成果實現(xiàn)了一種全新的非平衡物質(zhì)形態(tài)，創(chuàng)新性地將拓?fù)涞母拍钜氲綍r間晶體中，豐富了時間晶體的種類，展示了使用中等尺度量子芯片探求奇特量子物態(tài)的巨大潛力。該成果發(fā)表于《自然》（）刊物上。
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18芯片上拓?fù)洳屎缂{米元件的實現(xiàn)
上海理工學(xué)院路翠翠、胡小永與暨南學(xué)院丁偉、孫一之等，借助無孔散射式近場光學(xué)顯微鏡技術(shù)，對合成維度光子晶體拓?fù)洳屎缂{米元件的表面電場給出了直接表征，在納米尺度芯片上實現(xiàn)了明顯的拓?fù)洳屎缧?yīng)。該成果為推動拓?fù)涔庾訉W(xué)數(shù)學(xué)概念向光子芯片元件應(yīng)用的轉(zhuǎn)化提供了思路和機(jī)會。該成果發(fā)表于《自然?通信》（）刊物上。
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19可編程高維量子處理器
上海學(xué)院王劍威和龔旗煌等，實現(xiàn)了高維（dit）量子估算芯片，在大規(guī)模集成硅基光量子芯片上實現(xiàn)了高維量子位初始化、操作和檢測元件的單片集成，通過編程構(gòu)建該量子處理器，運行了上百萬次高保真度量子操作，執(zhí)行了多種重要的高維量子傅立葉變換類算法，從而證明了高維量子估算具有比二補(bǔ)碼量子比特（bit）編碼的量子估算更大的估算容量、更高的估算精度和更快的估算速率等明顯優(yōu)勢，有望加速建立大尺度光量子計算機(jī)。該成果發(fā)表于《自然?通信》（）刊物上。
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20膠體量子點長波紅外成像芯片
華北科技學(xué)院唐江團(tuán)隊報導(dǎo)了國外首款量子點長波紅外成像芯片。該芯片通過硫化鉛（PbS）膠體量子點與硅基讀出電路單片集成制備而成，其象素大小為640×512，成像療效部份其性能趕超了濱松光子學(xué)株式會社（K.K.）的商用芯片。該成像芯片同步實現(xiàn)了像元比偵測率和響應(yīng)速度的提高，同時也有望明顯減少制導(dǎo)致本，為長波紅外成像芯片的廣泛應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。該成果發(fā)表于《自然?電子》（）刊物上。
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21精準(zhǔn)制造拐角單層二維材料
上海學(xué)院劉開輝、上海科技學(xué)院王竹君和中國人民學(xué)院劉燦，提出了一種「預(yù)堆疊襯底-角度復(fù)制單晶硅生長」的新策略，以二維材料中目前研究最廣泛的拐角單層石墨烯為實驗體系，實現(xiàn)了具有可控拐角和潔凈界面的分米級單層石墨烯制備。該方式理論上可擴(kuò)充到其他二維晶體材料的拐角制備，有望為大批量可控拐角多層二維材料制備提供一種全新的低成本方案，因而為拐角電子元件在量子傳輸、光電傳感器元件、集成數(shù)據(jù)儲存等相關(guān)領(lǐng)域大規(guī)模應(yīng)用提供基礎(chǔ)。該成果發(fā)表于《自然?材料》（）刊物上。
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22高性能混頻電容器
中國科大學(xué)成都物質(zhì)科學(xué)研究院固體化學(xué)研究所孟國文團(tuán)隊與日本特拉華學(xué)院魏秉慶，成功研制了一種新型三維碳管網(wǎng)格膜，將其作為雙電荷層電容器（EDLC）電極，急劇提高了電容器的頻度響應(yīng)性能以及在相應(yīng)頻度下的面積比電容和容積比電容，有望作為電子元件中的高性能交流混頻電容器，為電子產(chǎn)品的大型化提供了新的技術(shù)路線與核心關(guān)鍵材料。該成果發(fā)表于《科學(xué)》（）刊物上。
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23激光3D復(fù)印納米鐵電疇
上海學(xué)院張勇團(tuán)隊，發(fā)展了一種新型非互易激光極化鐵電疇技術(shù)，將皮秒脈沖激光聚焦于鈣鈦礦晶體內(nèi)部進(jìn)行直寫，得到了納拉面寬的三維鐵電疇結(jié)構(gòu)。在直寫過程中，載流子晶體在高硬度激光作用下發(fā)生多光子吸收，造成局部晶體氣溫下降，既促使氮化物晶體的局域矯頑場增加，又在晶體內(nèi)部產(chǎn)生了一個有效電場。在兩者共同作用下，晶體內(nèi)部產(chǎn)生一個有效區(qū)域，可以實現(xiàn)鐵電疇極化反轉(zhuǎn)。這一工作將皮秒激光極化技術(shù)與砷化鎵鐵電疇工程有機(jī)結(jié)合，突破了傳統(tǒng)技術(shù)的壁壘，首次在三維空間實現(xiàn)了納米鐵電疇可控制備。該成果發(fā)表于《自然》（）刊物上。
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24「墨子號」實驗首次實現(xiàn)1200公里地面站間量子態(tài)遠(yuǎn)程傳輸
中國科學(xué)技術(shù)學(xué)院潘建偉及其朋友彭承志、陳宇翱、印娟等，借助「墨子號」量子科學(xué)實驗衛(wèi)星，在遠(yuǎn)距離的量子態(tài)傳輸方面取得重要實驗進(jìn)展。該實驗首次實現(xiàn)了月球上相距1200公里兩個地面站之間的量子態(tài)遠(yuǎn)程傳輸，向建立全球化量子信息處理和量子通訊網(wǎng)路邁出重要一步。該成果發(fā)表于《物理評論快報》（）刊物上。
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25光的量子拓?fù)鋺B(tài)操控
湖北學(xué)院宋超、王浩華、王大偉團(tuán)隊等，將光的量子屬性引入拓?fù)涔庾訉W(xué)領(lǐng)域，在全新設(shè)計的超導(dǎo)量子芯片上首次實現(xiàn)了光的量子拓?fù)鋺B(tài)操控，其所建立的福克態(tài)晶格詮釋了多個重要的拓?fù)浠瘜W(xué)模型。該成果發(fā)表于《科學(xué)》（）刊物上。
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26基于硬度半導(dǎo)體的柔性熱電材料
中國科大學(xué)北京硅酸鹽研究所陳立東、仇鵬飛團(tuán)隊，報告了基于AgCu(Se,S,Te)偽三元碳化物體中成份-性能相圖的高性能p型延伸性熱電材料。與其他柔性熱電材料相比，具有較高的品質(zhì)質(zhì)數(shù)值（300開爾文時0.45，340開爾文時0.68）。本工作進(jìn)一步展示了薄而靈活的π形元件，其最大歸一化功率密度達(dá)到30μWcm?2K?2。該成果有望用于可穿戴電子設(shè)備中的柔性熱電元件。該成果發(fā)表于《科學(xué)》（）刊物上。
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27石墨烯輔助電極轉(zhuǎn)印
中科院武漢微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所胡偉達(dá)、狄增峰等，開發(fā)出一種石墨烯輔助金屬電極轉(zhuǎn)印技術(shù)。該技術(shù)以鍺基石墨烯晶片作為預(yù)沉積襯底生長金屬電極陣列，并借助石墨烯與金屬間較弱的范德華斥力，實現(xiàn)了任意金屬電極陣列的無損轉(zhuǎn)移，且轉(zhuǎn)移成功率達(dá)到100%。該技術(shù)對二維材料工藝路徑進(jìn)行了探求，或?qū)⑼崎_通向二維芯片應(yīng)用新世界的房門。該成果發(fā)表于《自然?電子》（）刊物上。
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28可穿戴超低幀率可構(gòu)建神經(jīng)形態(tài)估算電子設(shè)備
同濟(jì)學(xué)院陳琳團(tuán)隊和陳培寧團(tuán)隊，提出了一種同時具有人工突觸和神經(jīng)元功能的可構(gòu)建神經(jīng)形態(tài)網(wǎng)路憶阻柔性元件，可以在同一單元實現(xiàn)神經(jīng)突觸可塑性和神經(jīng)元領(lǐng)取功能，在減少神經(jīng)元電路的復(fù)雜性方面表現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢。人工突觸、神經(jīng)元和功能內(nèi)阻被集成到一個加熱紡織系統(tǒng)中，用于智能體溫調(diào)節(jié)。超低幀率的紡織神經(jīng)形態(tài)網(wǎng)路可以為智能物聯(lián)網(wǎng)中腦部啟發(fā)的可構(gòu)建和可穿戴的神經(jīng)形態(tài)估算電子設(shè)備的發(fā)展提供新方向。該成果發(fā)表于《自然?通信》（）刊物上。
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29可構(gòu)建顯存邏輯構(gòu)架的二維范德華異質(zhì)結(jié)元件
福建學(xué)院潘安練和李東團(tuán)隊，報導(dǎo)了一種2D范德華異質(zhì)結(jié)元件，它既可以作為可構(gòu)建晶體管，也可以作為可構(gòu)建非易失性儲存器，并提供可構(gòu)建的顯存邏輯功能。該元件的構(gòu)架被稱為部份浮柵場效應(yīng)晶體管（），它具有電荷籠絡(luò)和場調(diào)節(jié)單元。本文使用該元件制造了CMOS電路，具有原位儲存的線性和非線性邏輯門，以及半加法器電路。該成果發(fā)表于《自然?電子》（）刊物上。
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30類腦估算芯片：天機(jī)X
復(fù)旦學(xué)院施路平團(tuán)隊，設(shè)計了面向智能機(jī)器人的類腦估算芯片天機(jī)X，是全球首款面向智能機(jī)器人的類腦估算芯片，并發(fā)展了構(gòu)建的軟件工具鏈。在執(zhí)行模型、芯片構(gòu)架和軟件工具鏈和機(jī)器人系統(tǒng)等多個層次進(jìn)行了系統(tǒng)性創(chuàng)新。研發(fā)的天機(jī)X具有高算力、低幀率、低延時和跨范式多網(wǎng)路異步并行等優(yōu)勢，為邊沿智能和骨科學(xué)估算提供了一個高效硬件平臺和嶄新路徑。該成果發(fā)表于《科學(xué)機(jī)器人》（）刊物上。
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投票讀者可單獨提名以上未包含的相關(guān)領(lǐng)域進(jìn)展。請在來信中闡述所提名研究進(jìn)展和來源，并發(fā)送至Chip刊物編輯部：。請將電郵主題寫為「-C22」候選提名。
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關(guān)于Chip
Chip是全球惟一聚焦芯片類研究的綜合性國際刊物，已榮獲由中國文聯(lián)、教育部、科技部、中科院等單位聯(lián)合施行的「中國科技刊物卓越行動計劃高起點新刊項目」，為科技部鼓勵發(fā)表「三類高質(zhì)量論文」期刊之一。
Chip刊物由北京交通學(xué)院與集團(tuán)合作出版，并與多家國內(nèi)外著名學(xué)術(shù)組織展開合作，為學(xué)術(shù)大會提供高質(zhì)量交流平臺。
Chip秉持出刊理念:AllAboutChip，聚焦芯片，兼容并包，借以發(fā)表與芯片相關(guān)的各科研領(lǐng)域尖端突破性成果，推動未來芯片科技發(fā)展。迄今為止，Chip已在其編委會匯集了來自14個國家的70名世界著名專家學(xué)者，其中包括多名中外教授及IEEE、ACM、等著名國際學(xué)會終生會士（）。
Chip第二卷第一期（2023年夏季刊）于2023年03月在愛思唯爾Chip官網(wǎng)以黑色開放獲取方式（GoldOpen）發(fā)布，歡迎訪問閱讀文章。
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