(1)明暗場對比圖像
明場成像：在物鏡后焦平面上，透射光束通過物鏡孔徑，衍射光束被阻擋以獲得圖像對比度。
暗場成像：將入射光束方向傾斜2θ角，讓衍射光束通過物鏡孔徑，阻擋透射光束以獲得圖像對比度的方法。
▽明暗場光路示意圖
▽硅內(nèi)部位錯的明場和暗場圖像
來源：《之》【書】
(2) 高分辨率透射電鏡(HRTEM)圖像
HRTEM可以獲得晶格條紋圖像（反映晶面間距信息）、結(jié)構(gòu)圖像、單原子圖像（反映晶體結(jié)構(gòu)中原子或原子團(tuán)的構(gòu)型）等更高分辨率的圖像信息。 但要求樣品厚度小于1納米。
▽HRTEM光路圖
▽硅納米線的HRTEM圖像
來源：《之》【書】
(3) 電子衍射圖
l 選區(qū)衍射（area，SAD）：微米級微區(qū)結(jié)構(gòu)特征。
l 會聚光束衍射（beam，CBED）：納米級微區(qū)結(jié)構(gòu)特征。
l 微束衍射（MED）：納米級微區(qū)結(jié)構(gòu)特征。
▽電子衍射光路示意圖
來源：《之》【書】
▽單晶氧化鋅電子衍射圖
▽非晶氮化硅的電子衍射圖
▽鋯鎳銅合金的電子衍射圖
來源：《之》【書】
6、設(shè)備制造商
世界上能生產(chǎn)透射電子顯微鏡的廠家并不多。 主要是歐洲、美國和日本的大型電子公司，如德國蔡司、美國FEI、日本日立等。
7. 故障排除
l TEM與SEM的區(qū)別：
當(dāng)一束高能入射電子轟擊材料表面時，激發(fā)區(qū)會產(chǎn)生二次電子、背散射電子、俄歇電子、特征X射線、透射電子以及可見光、紫外光和紅外光中的電磁輻射地區(qū)。 。 掃描電子顯微鏡收集二次電子和背散射電子的信息，透射電子顯微鏡收集透射電子的信息。
SEM樣品制備對樣品的厚度沒有特殊要求。 可以通過切割、研磨、拋光或解理方法呈現(xiàn)特定的橫截面，從而將其轉(zhuǎn)化為可觀察的表面； TEM 獲得的顯微圖像的質(zhì)量很大程度上取決于樣品的厚度。 ，所以樣品的觀察部分必須很薄，一般在10到100納米以內(nèi)，甚至更薄。
l 簡述多晶（納米??晶）、單晶、非晶衍射圖樣的特點(diǎn)及形成原理：
單晶圖案為零層二維倒易截面，其倒易點(diǎn)排列規(guī)則，具有明顯的對稱性偏光顯微鏡法觀察聚合物球晶形態(tài)，且位于二維網(wǎng)格的網(wǎng)格點(diǎn)上。
多晶表面的衍射圖樣是每個衍射錐與垂直于入射光束方向的熒光屏或照相膠片之間的交線偏光顯微鏡法觀察聚合物球晶形態(tài)，是一系列同心環(huán)。 將各組衍射晶面對應(yīng)的倒易點(diǎn)分布組裝成半徑為1/d的倒易球，與埃瓦爾德球的交線為環(huán)。 因此，樣品各晶粒的{hkl}晶面族為 衍射線軌跡，形成以入射電子束為軸、2θ為半錐角的衍射錐。 不同晶面族的衍射錐具有不同的2θ，但每個衍射錐具有共同的頂部和同軸。
非晶衍射圖案是圓形斑點(diǎn)。
l 什么是衍射襯度？ 它與質(zhì)量厚度對比有何不同？
在電子顯微鏡下觀察晶體樣品時，由于晶體取向不同和/或晶體結(jié)構(gòu)不同，布拉格條件滿足的程度不同，導(dǎo)致相應(yīng)樣品下表面的衍射效果不同，從而在下表面上形成隨機(jī)位置。 不同的衍射振幅分布，這樣形成的對比度稱為衍射對比度。 質(zhì)量-厚度對比是由于樣品不同微區(qū)域的原子序數(shù)或厚度差異而形成的，適合解釋復(fù)制膜樣品的電子圖像。
8. 參考書
《電子衍射圖樣在晶體學(xué)中的應(yīng)用》郭欣欣、葉恒強(qiáng)、吳玉坤；
《電子衍射分析方法》，黃曉英；
《透射電子顯微鏡進(jìn)展》葉恒強(qiáng)、王元明主編；
朱靜、葉恒強(qiáng)、王仁輝等主編的《高空間分辨率分析電子顯微鏡》；
《材料評價的分析電子顯微鏡方法》（日文），新藤大輔和及川哲夫合著，劉安生譯。