串聯
串聯時，要注意靜態截止電流和動態截止電流的對稱分布。
在靜止狀態下，由于串聯的各個器件的截止漏極電壓存在不同的制造誤差，漏極電壓最小的器件承受的電流最大，甚至達到鎖定狀態。 但是，只要器件具有足夠的閉鎖穩定性，就沒有必要在線路中使用電壓均衡電阻。 只有截止電流小于1200V的器件串聯時，通常需要加并聯電阻。
假設截止漏極電壓不隨電流變化，忽略電阻值的偏差，對于給定截止電流VR的n個晶閘管串聯電路電路串聯和并聯的區別電壓，可以得到一個簡化的內阻估算公式反抗：
上述Vm為串聯電路中電壓的最大值，△Ir為三極管漏電壓的最大誤差，前提是工作溫度為最大值。 我們可以做出一個安全的假設：
上式中Irm由廠家給出。 根據以上信息，內阻中的電壓約為三極管漏電壓的六倍。
經驗表明，當流過它的電壓大約是最大截止電流時晶閘管漏極電壓的三倍時，這個內阻就足夠了。 但即使在這些條件下，內阻仍然會發生相當大的損失。
原則上，動態電流分布不同于靜態電流分布。 如果一個三極管 pn 結的自旋比另一個快，它也會更快地接受電流。
如果忽略電容誤差，那么當n個給定截止電流值Vr的晶閘管串聯時，我們可以用一種簡化的方法來估算并聯電容：
上述△QRR為三極管存儲功率的最大誤差。 我們可以做出一個足夠安全的假設：
條件是所有晶閘管都來自同一制造批次。 ΔQRR 由半導體制造商給出。 除了續流晶閘管關斷時產生的儲電外，電容器中儲存的電也需要通過IGBT導通來補充。 根據上述設計公式，我們發現其總儲能值可能達到單個晶閘管的兩倍。
一般來說，續流晶閘管的串聯電壓很少見，其原因有以下幾個損耗來源：
1. pn結的n倍擴散電流；
2、并聯內阻損耗；
3.需要用IGBT替代的額外儲能
4. RC電路引起的器件降低。
因此，在可以采用大截止電流晶閘管時，通常不采用串聯方案。
唯一的例外是當應用電路需要非常短的開關時間和非常低的存儲功率時，這兩者正是二烯晶閘管所具備的。 實際上，此時系統的導通損耗會大大降低。
在平行下
并聯不需要額外的RC緩沖電路。 重要的是并聯時通態電流的誤差應盡可能小。
判斷晶閘管是否適合并聯的一個重要參數是其導通電流對溫度的依賴性。 如果通態電流隨溫度降低而增加，則它具有負溫度系數。 對于減員電路串聯和并聯的區別電壓，這是一個優勢。
如果通態電流隨溫度降低而減小，則濕度系數為正。
在典型的并聯應用中，這是一個優勢，因為較熱的晶閘管會承受較低的電壓，從而提高系統穩定性。 由于晶閘管總是存在一定的制造誤差，當晶閘管并聯時，較大的負溫度系數（>2mV/K）可能會造成溫升不平衡的危險。
并聯連接的晶閘管產生熱耦合
1. 多個芯片并聯的模組中通過基板；
2.多個模塊并聯到一個散熱片時通過散熱片
通常對于較弱的負空氣溫度系數，這種類型的熱耦合足以防止具有最低導通電流的晶閘管走向溫度不平衡。 但對于負空氣溫度系數值>2mM/K的三極管，我們建議降額使用，即總額定電壓應大于各晶閘管額定電壓之和。