內(nèi)阻并聯(lián)電阻的估算公式是什么？ 在電子電路中，當(dāng)我們根據(jù)需要將幾個(gè)已知電阻的阻值并聯(lián)起來，得到的總內(nèi)阻是多少？ 下面結(jié)合具體例子，看看如何估算串并聯(lián)的內(nèi)阻：
內(nèi)阻級(jí)數(shù)估算公式
內(nèi)阻串聯(lián)估算公式將兩個(gè)以上的內(nèi)阻一一連接起來，稱為內(nèi)阻串聯(lián)。 將串聯(lián)內(nèi)阻的兩端接入電源，構(gòu)成內(nèi)阻串聯(lián)電路，如圖所示。
圖中電路由內(nèi)阻組成
與電源串聯(lián)組成，電路的端電流U等于各內(nèi)阻兩端電流之和。 即式1：
由于串聯(lián)電路中只有一條電壓流經(jīng)路徑，各內(nèi)阻上的電壓相等，故各內(nèi)阻上的電流為
因此，當(dāng)內(nèi)阻串聯(lián)時(shí)，串聯(lián)的總內(nèi)阻等于串聯(lián)內(nèi)阻的總和。
因此，當(dāng)內(nèi)阻串聯(lián)時(shí)，串聯(lián)電路的功率等于串聯(lián)電路中各內(nèi)阻的功率之和。
并聯(lián)內(nèi)阻估算公式
兩個(gè)或多個(gè)內(nèi)阻的一端均接a點(diǎn)，另一端均接另一b點(diǎn)。 這種連接稱為內(nèi)阻并聯(lián)。 將并聯(lián)內(nèi)阻的兩端接入電源，構(gòu)成內(nèi)阻并聯(lián)電路，如圖1所示。
由于并聯(lián)內(nèi)阻兩端的電流相同，根據(jù)歐姆定律，可得各并聯(lián)通路的支路電壓為
由于電路中的總電壓等于支路電壓之和，則
即式中R為并聯(lián)電路的等效內(nèi)阻，將上式兩端乘以U即為
因此，并聯(lián)電路中總內(nèi)阻的阻值等于各并聯(lián)電路內(nèi)阻的倒數(shù)之和。
如果上述并聯(lián)內(nèi)阻都是相同的R1=R2=R3電阻的串聯(lián)和并聯(lián)視頻講解，那么并聯(lián)內(nèi)阻總內(nèi)阻的估算公式就變成了：
上式中，RN為各回路的內(nèi)阻； N是平行道路的數(shù)量。
晶振串聯(lián)內(nèi)阻和并聯(lián)內(nèi)阻的影響
電路在其輸出端串聯(lián)一個(gè)22K的內(nèi)阻，在其輸出端和輸入端之間連接一個(gè)10M的內(nèi)阻。 這里介紹這個(gè)是因?yàn)檫B接晶振的芯片內(nèi)部是線性運(yùn)放，將輸入反轉(zhuǎn)180度輸出。 由晶體振蕩器處的負(fù)載電容器的內(nèi)阻形成的網(wǎng)絡(luò)提供了另一個(gè) 180 度的相移。 整個(gè)支路的相位相移360度滿足振蕩的相位條件，同時(shí)要求晶振正常工作的閉環(huán)增益小于或等于1。
與晶振串聯(lián)的內(nèi)阻常用于防止晶振過驅(qū)動(dòng)。 過驅(qū)動(dòng)晶振的后果是逐漸磨損晶振的觸點(diǎn)鍍鎳層，導(dǎo)致頻率升高，造成晶振初期失效，也可用于調(diào)整。 用于調(diào)節(jié)和振蕩裕度。 晶振輸入輸出連接的內(nèi)阻是為了形成負(fù)反饋，保證放大器工作在高增益線性區(qū)，一般在M歐級(jí)。 輸出端內(nèi)阻與負(fù)載電容組成網(wǎng)絡(luò)，提供180度相移，同時(shí)起到限流作用。 通流的作用，防止反相器的輸出過驅(qū)動(dòng)晶振而毀壞晶振。
Xin和Xout內(nèi)部通常是施密特反相器，反相器不能驅(qū)動(dòng)晶振回落。 為此，在逆變器的兩端并聯(lián)了一個(gè)內(nèi)阻，輸出信號(hào)通過內(nèi)阻進(jìn)行反相。
內(nèi)阻的作用是給電路內(nèi)部的反相器加一個(gè)反饋回路，產(chǎn)生放大作用。 當(dāng)晶體在其中時(shí)，反饋環(huán)路的交流等效物將根據(jù)晶體的頻率產(chǎn)生共振。 由于晶振的Q值很高，內(nèi)阻在較大范圍內(nèi)變化，不會(huì)影響輸出頻率。 以前測試這個(gè)電路穩(wěn)定性的時(shí)候，試過從100K到20M起振正常，但是會(huì)影響占空比。
內(nèi)阻和并聯(lián)內(nèi)阻的估算公式是什么？ 在電子電路中，當(dāng)我們根據(jù)需要將幾個(gè)已知電阻的阻值并聯(lián)起來，得到的總內(nèi)阻是多少？ 下面結(jié)合具體例子，看看如何估算串并聯(lián)的內(nèi)阻：
內(nèi)阻級(jí)數(shù)估算公式
內(nèi)阻串聯(lián)估算公式將兩個(gè)以上的內(nèi)阻一一連接起來，稱為內(nèi)阻串聯(lián)。 將串聯(lián)內(nèi)阻的兩端接入電源，構(gòu)成內(nèi)阻串聯(lián)電路，如圖所示。
圖中電路由內(nèi)阻組成
與電源串聯(lián)組成，電路的端電流U等于各內(nèi)阻兩端電流之和。 即式1：
由于串聯(lián)電路中只有一條電壓流經(jīng)路徑，各內(nèi)阻上的電壓相等，故各內(nèi)阻上的電流為
因此，當(dāng)內(nèi)阻串聯(lián)時(shí)，串聯(lián)的總內(nèi)阻等于串聯(lián)內(nèi)阻的總和。
因此，當(dāng)內(nèi)阻串聯(lián)時(shí)，串聯(lián)電路的功率等于串聯(lián)電路中各內(nèi)阻的功率之和。
并聯(lián)內(nèi)阻估算公式
兩個(gè)或多個(gè)內(nèi)阻的一端均接a點(diǎn)，另一端均接另一b點(diǎn)。 這種連接稱為內(nèi)阻并聯(lián)。 將并聯(lián)內(nèi)阻的兩端接入電源，構(gòu)成內(nèi)阻并聯(lián)電路，如圖1所示。
由于并聯(lián)內(nèi)阻兩端的電流相同，根據(jù)歐姆定律，可得各并聯(lián)通路的支路電壓為
由于電路中的總電壓等于支路電壓之和，則
即式中R為并聯(lián)電路的等效內(nèi)阻，將上式兩端乘以U即為
因此，并聯(lián)電路中總內(nèi)阻的阻值等于各并聯(lián)電路內(nèi)阻的倒數(shù)之和。
如果上述并聯(lián)內(nèi)阻都是相同的R1=R2=R3，那么并聯(lián)內(nèi)阻總內(nèi)阻的估算公式就變成了：
上式中，RN為各回路的內(nèi)阻； N是平行道路的數(shù)量。
晶振串聯(lián)內(nèi)阻和并聯(lián)內(nèi)阻的影響
電路在其輸出端串聯(lián)一個(gè)22K的內(nèi)阻，在其輸出端和輸入端之間連接一個(gè)10M的內(nèi)阻。 這里介紹這個(gè)是因?yàn)檫B接晶振的芯片內(nèi)部是線性運(yùn)放，將輸入反轉(zhuǎn)180度輸出。 由晶體振蕩器處的負(fù)載電容器的內(nèi)阻形成的網(wǎng)絡(luò)提供了另一個(gè) 180 度的相移。 整個(gè)支路的相位相移360度滿足振蕩的相位條件，同時(shí)要求晶振正常工作的閉環(huán)增益小于或等于1。
與晶振串聯(lián)的內(nèi)阻常用于防止晶振過驅(qū)動(dòng)。 過驅(qū)動(dòng)晶振的后果是逐漸磨損晶振的觸點(diǎn)鍍鎳層，導(dǎo)致頻率升高，造成晶振初期失效，也可用于調(diào)整。 用于調(diào)節(jié)和振蕩裕度。 晶振輸入輸出連接的內(nèi)阻是為了形成負(fù)反饋，保證放大器工作在高增益線性區(qū)，一般在M歐級(jí)。 輸出端內(nèi)阻與負(fù)載電容組成網(wǎng)絡(luò)，提供180度相移，同時(shí)起到限流作用。 通流的作用電阻的串聯(lián)和并聯(lián)視頻講解，防止反相器的輸出過驅(qū)動(dòng)晶振而毀壞晶振。
Xin和Xout內(nèi)部通常是施密特反相器，反相器不能驅(qū)動(dòng)晶振回落。 為此，在逆變器的兩端并聯(lián)了一個(gè)內(nèi)阻，輸出信號(hào)通過內(nèi)阻進(jìn)行反相。
內(nèi)阻的作用是給電路內(nèi)部的反相器加一個(gè)反饋回路，產(chǎn)生放大作用。 當(dāng)晶體在其中時(shí)，反饋環(huán)路的交流等效物將根據(jù)晶體的頻率產(chǎn)生共振。 由于晶振的Q值很高，內(nèi)阻在較大范圍內(nèi)變化，不會(huì)影響輸出頻率。 以前測試這個(gè)電路穩(wěn)定性的時(shí)候，試過從100K到20M起振正常，但是會(huì)影響占空比。