太陽能電池板串并聯特性實驗2 光電元件溫度特性對比實驗9 太陽能電池串并聯特性測量太陽能電池單節電池工作電流小于1伏，電壓為幾安培，不能直接應用，通常需要要進行串聯和并聯連接，以達到所需的電流和電壓，本實驗是為了測試太陽能電池的串并聯特性，為實際應用打下堅實的基礎。 1、實驗目的了解太陽能電池組件IV電學曲線的定性規律。 掌握本實驗中測試設備的使用。 2、儀器及耗材 晶體硅太陽能電池組件3個，專用電氣測試柜1個。 3、原理太陽能電池是一個較大面結的PN晶閘管。 其工作電壓I可用下式表示： I0[exp(qV/nkT) 開路電流表示為流過Voc負載的電壓； 伊芙？ 光爆發形成的氮化物產生光電流； knTln[(Isc/I0+1] (2.2) qI?Rs?RL? (2.1) Rsh 光電技術綜合實訓指導實驗2 光電元件溫度特性測量比q?一個電子的電量；電池的工作電流; n? 結構因子; 玻爾茲曼常數; T ? 電池絕對濕度; Voc 電池開路電流; Rs 電池串聯內阻; Rsh 電池并聯內阻; RL 負載內阻;工作時，太陽能電池組件是由太陽能電池片串聯和并聯連接而成的整體，組件的電氣性能會隨著單體電池串并聯數量的不同而變化。 。
串聯時電流疊加，并聯時電壓疊加，如圖9.1和圖9.2所示。 光電技術綜合實訓指導實驗2 光電元件溫度特性測量比恒定光強脈沖測試太陽能電池伏安特性工作原理：通過控制脈沖氙氣的工作電壓，使其發光硬度在測試時間內保持恒定，然后通過電子負載在恒定脈沖時間內快速測試伏安特性曲線。 光脈沖的工作過程如圖9.3所示； 電子負載的工作原理如圖9.4所示。 將其輸出連接到主電路，通過調節Ui控制恒壓輸出Uo為一定值。 Uo主電路的電路占有一定的壓降，相當于在主電路中連接一個形成Uo壓降的負載。 。 光電子技術綜合實訓指導實驗2 光電元件溫度特性比較圖9.4 電子負載原理圖4. 實驗裝置及內容圖2.3 為實驗裝置示意圖。 實驗過程為：當光源照射被測電池組件時，組件的電性能發生變化； 然后可以記錄被測器件對應的恒壓電子負載所顯示的電流的電壓值，從而得到工作點，調整電流值電瓶串聯和并聯圖，得到相應的電壓。 連續多個點可以繪制模塊的IV曲線。 在檢測過程中，由于元件不斷受到光線照射，工作溫度會不斷升高，相應的IV曲線也會發生變化。 實驗步驟：將硅片電池組件按圖2.3連接到電路中。 將電子負載和光源模擬器連接到交流電源上，并分別閉合相應的電源開關。
調節電子負載旋鈕電瓶串聯和并聯圖，使電流值由大到小； 快速檢測多個數據點（包括Voc、Isc等幾個工作點），同時記錄相應的溫度變化。 繼續檢測并記錄Voc、Isc及對應的溫度值，直至溫度相對穩定后再進行下一步。 微調電子負載的旋鈕，使電流值由大變小，逐點測試元件的IV特性曲線（最多10個以上），將測得的數據提交主管審核后方可進行下一步，否則重復上述過程 拆除實驗電路，清理現場 10 光電技術綜合實訓指導實驗 2 光電元件溫度特性比較 5. 數據處理 晶錠組件測試數據整理校正后，先畫點，然后根據不同的水溫勾勒出相應的特性曲線，最好畫3條以上曲線，比較不同的Pm，定性地確定Pm與溫度變化的關系。對于非晶硅的實測數據元件，重復以上三個步驟，嘗試比較一下單晶和非晶的區別。 六。 注意事項電子負載與待測電池組件均為直流耦合，正負極并聯。 請勿將它們接反。 輻射數據僅測量一次，僅供參考。 光敏探頭應放置在元件的中心。 紅外測溫速度一定要快，測試結束后立即關閉電氣測試柜門。 測試時請勿直視電光源，以免損傷視力。 更換單個或非晶元件時，必須切斷電光源，測試元件低溫時發燙。 單體和非晶元件應放置在電氣測試柜中的同一位置。 7、單體電池的IV與組件的IV有什么區別？ 將本實驗中的IV特性測試方法與短脈沖半導體電路進行比較。 性能檢測方法有何不同？ 比較單晶硅和非晶硅電池組件的IV特性曲線和電流溫度特性曲線的差異。
嘗試估計單晶硅和非晶硅陽極組件的電流和電流溫度系數。 光電技術綜合實訓指南 11 實驗二 光電元件溫度特性比較 一、原始數據 第1號：第2號：12 光電技術綜合實訓指南 實驗二 光電元件溫度特性測量比較 系列遮光：系列 無遮光：光電技術綜合實訓指南13實驗2光電元件的溫度特性并聯：2：結果分析從表中可以看出，2號并聯的內阻明顯大于1號，其性能比1號要好。在串聯無遮蔽的情況下，串并聯內阻基本上是兩塊電板串并聯內阻串聯和并聯的結果； 填充因子也是兩者之間的一個值； 并且在遮光的情況下，對性能影響很大，填充因子和最大功率顯著增加，但開路電流漏電壓沒有顯著影響； 14 光電技術綜合實訓教學實驗2 光電元件的溫度特性并聯比較。 并聯內阻大大降低，導致實際電壓大于兩者電壓之和，對最大功率影響很大，同時填充因子顯著下降。 從并聯伏安特性曲線可以看出，當電流達到20V左右時，電壓明顯增加，且增長速度明顯快于其他情況，因此填充因子得到了很大的提高。 三。 思考問題1、單板的IV和模塊的IV有什么區別？ 2、本實驗中IV特性測試方法與短脈沖半導體電性測試方法有什么區別？ 3、比較單晶硅和非晶硅電池組件的IV特性曲線和電流溫度特性曲線的差異。 4. 嘗試估計單晶硅和非晶硅陽極組件的電流和電流溫度系數。
答：1、單體串聯、并聯組成組件，其電流、電壓也滿足電流、電壓的串并聯定律，IV特性也滿足該定理。 2、本實驗方法不如短脈沖半導體電檢測方法穩定。 3、室溫下電流下降電壓會升高，溫度下降電流也會升高。 不同的是，溫度對單晶硅的影響更大。 4、非晶元件電流溫度系數為-0.06V/C，單晶硅元件電流溫度系數為-0.05V/C。 光電技術綜合培訓指南15