我們你都曉得，內(nèi)阻可以拿來串聯(lián)，也可以拿來并聯(lián)。這么，晶閘管適宜串聯(lián)和并聯(lián)嗎？
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晶閘管串聯(lián)
晶閘管串聯(lián)時，須要注意靜態(tài)截至電流和動態(tài)截至電流的對稱分布。
在靜態(tài)時，因為串聯(lián)各器件的截至漏電壓具有不同的制造誤差，造成具有最小漏電壓的器件承受了最大的電流，甚至達(dá)到鉗制狀態(tài)。但只要器件具有足夠的鉗制穩(wěn)定性，則無必要在線路中采用均壓內(nèi)阻。只有當(dāng)截至電流小于1200V的器件串聯(lián)時，通常來說才有必要外加一個并聯(lián)內(nèi)阻。
假定截至漏電壓不隨電流變化串聯(lián)和并聯(lián)哪個省電，同時忽視內(nèi)阻的偏差，則對于n個具有給定截至電流VR的晶閘管的串聯(lián)電路，我們可以得到一個簡化的估算內(nèi)阻的公式：
以上Vm是串聯(lián)電路中電壓的最大值，△Ir是三極管漏電壓的最大誤差，條件是運(yùn)行氣溫為最大值。我們可以做一個安全的假定：
上式中，Irm是由制造商所給定的。借助以上恐怕，內(nèi)阻中的電壓大概是三極管漏電壓的六倍。
以上△QRR是三極管儲存電量的最大誤差。我們可以做一個充分安全的假定：
條件是所有的晶閘管均出自同一個制造批號。△QRR由半導(dǎo)體制造商所給出。不僅續(xù)流晶閘管關(guān)斷時出現(xiàn)的儲存電量之外，在電容中儲存的電量也同樣須要由正在開通的IGBT來接替。按照上述設(shè)計公式，我們發(fā)覺總的儲存電量值可能會達(dá)到單個晶閘管的儲存電量的兩倍。
在典型的并聯(lián)應(yīng)用中，這是一個優(yōu)點，其緣由在于，較熱的晶閘管將承受較低電壓，因而造成系統(tǒng)的穩(wěn)定。由于晶閘管總是存在一定的制造誤差，所以在晶閘管并聯(lián)時，一個較大的負(fù)氣溫系數(shù)（＞2mV/K）則有可能形成溫升失衡的危險。
并聯(lián)的晶閘管會形成熱耦合：
1.在多個芯片并聯(lián)的模塊中通過基片；
2.在多個模塊并聯(lián)于一塊散熱片時通過散熱器。
通常對于較弱的負(fù)氣溫系數(shù)來說串聯(lián)和并聯(lián)哪個省電，這類熱偶合足以防止具有最低通態(tài)電流的晶閘管邁向體溫失衡。但對于負(fù)氣溫系數(shù)值＞2mM/K的晶閘管，我們則建議降額使用，即總的額定電壓應(yīng)該大于各晶閘管額定電壓的總和。