前文介紹了LDO的原理，其內(nèi)部是一個(gè)負(fù)反饋調(diào)節(jié)電路，當(dāng)遇見(jiàn)電流低于設(shè)定值進(jìn)行降糖以及高于設(shè)定值進(jìn)行電流補(bǔ)償以達(dá)到穩(wěn)壓目的，而且有些品牌的LDO在上電時(shí)會(huì)出現(xiàn)一個(gè)短時(shí)間的電流過(guò)沖，如圖1所示。
圖1某品牌LDO上電頓時(shí)電流過(guò)沖（波形放大后實(shí)拍）
圖為示波器設(shè)置為上升沿觸發(fā)模式下，上電抓取的波形，每格500mV，經(jīng)反復(fù)檢測(cè)上電頓時(shí)電流過(guò)沖到3.8V左右，大部份單片機(jī)的工作電流最大值為3.6V，雖時(shí)常短時(shí)間缺相不會(huì)導(dǎo)致問(wèn)題（芯片內(nèi)部有一定的缺相保護(hù)），并且在大批量出貨或則開(kāi)關(guān)次數(shù)多的情況下，將會(huì)成一個(gè)嚴(yán)重的品質(zhì)隱患，所以在設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)當(dāng)盡力避開(kāi)這些情況。
一、電壓過(guò)沖緣由
在實(shí)際應(yīng)用中，LDO的等效電路應(yīng)如圖2所示。
圖2實(shí)際應(yīng)用中的等效電路（紅色框?yàn)長(zhǎng)DO內(nèi)部原理）
R_PCB為印制電路板上導(dǎo)線的阻值，通常很小很小，可忽視不計(jì)，電流過(guò)沖的關(guān)鍵誘因在于，即輸出端電容的管腳寄生內(nèi)阻（ESR）。上電頓時(shí)電容視為漏電，即C_out兩端電流為0，若ESR過(guò)小，則V_OUT端瞬時(shí)電流也被拉低至0V，這時(shí)LDO內(nèi)部負(fù)反饋電路會(huì)有一個(gè)大幅度的電流補(bǔ)償，V_OUT頓時(shí)下降，此時(shí)V_DS（mos管漏源電流）很小
V_OUT=V_IN-V_DS
而且電容C_OUT充電時(shí)間很短，飽含電以后，V_OUT變?yōu)?.3V，而這時(shí)因?yàn)榉答伝芈讽氁憫?yīng)時(shí)間，MOS管來(lái)不及調(diào)節(jié)，即V_DS還未減小，則會(huì)導(dǎo)致電流過(guò)沖，出現(xiàn)短時(shí)間小于3.3V的情況。
二、解決方式
對(duì)于電流過(guò)沖現(xiàn)象，目前網(wǎng)上大部份回答是加強(qiáng)電容，吸收掉過(guò)沖的能量，電容確實(shí)有混頻作用，但不適宜用在此處電機(jī)電流過(guò)大怎么解決，減小電容的確可以促使輸出端電容的充電時(shí)間延長(zhǎng)，并且在充電完成后LDO輸出端同樣會(huì)出現(xiàn)電流晃動(dòng)的情況。
①因?yàn)镋SR過(guò)小，上電頓時(shí)電容回路沒(méi)有足夠的阻值分壓，輸出端瞬時(shí)電流會(huì)被拉至接近0V，而反饋回路則會(huì)最大程度的開(kāi)啟mos管以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。
②電容充電時(shí)間常數(shù)與充電電壓無(wú)關(guān)，但充電曲線形狀與充電電壓有關(guān)電機(jī)電流過(guò)大怎么解決，電壓越大，充電曲線越險(xiǎn)峻，電容兩端電流變化的就越快，而電流變化越快，則越不利于LDO內(nèi)部的反饋調(diào)節(jié)。
以上兩點(diǎn)說(shuō)明解決上電時(shí)電流過(guò)沖的方法是適當(dāng)降低電容的ESR，測(cè)試時(shí)可以串聯(lián)一個(gè)2.7Ω內(nèi)阻，過(guò)沖情況會(huì)減少好多。不過(guò)在實(shí)際應(yīng)用中遇見(jiàn)這些情況直接更換其他品牌的LDO就可以，電流過(guò)沖本身說(shuō)明LDO生產(chǎn)時(shí)沒(méi)有考慮到一些極端條件下的電流調(diào)整，目前有些品牌的LDO普遍有此現(xiàn)象，選型時(shí)還須要仔細(xì)檢測(cè)，防止使用時(shí)毀壞其他元元件。