在通過(guò)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積和化學(xué)液相傳輸制備AlN的過(guò)程中，不可避免地會(huì)存在缺陷（VAl/VN）和無(wú)意雜質(zhì)（C/O/Si/Hi）。特別是，在真空環(huán)境中很難消除Hi。
有鑒于此，內(nèi)蒙古工業(yè)大學(xué)侯清玉等人運(yùn)用第一原理估算研究了AlN及其含缺陷系統(tǒng)的機(jī)械性能、熱導(dǎo)率和光學(xué)性能。
計(jì)算方式與模型
圖1. 未參雜AlN的總能量與截?cái)嗄芰康那€(xiàn)
本文使用的軟件為MS8.0（），并采用了密度泛函理論框架下的廣義梯度近似方式，選擇的泛函是–Burke–（PBE）。
圖1是收斂測(cè)試后的截?cái)嗄芰繛?50eV。布里淵區(qū)的k點(diǎn)為3×3×2，能量收斂標(biāo)準(zhǔn)為5.0×10-6eV/atom，力收斂標(biāo)準(zhǔn)為0.01eV/，內(nèi)部撓度不小于0.02GPa，公差誤差為5.0×10-4 。
用于建立贗勢(shì)的價(jià)電子構(gòu)象為Al-、N-、H-1s1、C-、O-和Si-。
圖2. 聲子色散普
圖3. 模型結(jié)構(gòu)
本文選擇的結(jié)構(gòu)為AlN的纖鋅礦結(jié)構(gòu)，空間群為P63mc。為了確保基本結(jié)構(gòu)的動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性，計(jì)算了未參雜AlN的聲子色散譜。
圖2顯示聲子色散中沒(méi)有虛頻，表明AlN具有動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性。然后，在AlN上進(jìn)行3×3×2超胞，如圖3（a）所示，A位的Al原子（0.555、0.444和0.749）被C、O和Si原子替代；如圖3（B）所示，B位的N原子（0.444、0.555和0.690）被C、O和Si原子替代，A位的Al空位與H原子（0.656、0.338和0.617）共存。、、（M=C/O/Si）和（M=C/O/Si）體系的雜質(zhì)含量均為1.38%，結(jié)構(gòu)的雜質(zhì)含量為2.77%。
結(jié)果與討論
圖4. 態(tài)密度圖
為了闡述點(diǎn)缺陷對(duì)AlN熱學(xué)性能影響的內(nèi)在緣由，并了解原子間的鍵合特點(diǎn)，對(duì)態(tài)密度（DOS）進(jìn)行剖析。AlN的導(dǎo)帶主要由Al3p態(tài)組成，價(jià)帶主要由N2p態(tài)組成，具體如圖4（a）所示。
系統(tǒng)的DOS的形狀與未參雜結(jié)構(gòu)的DOS的形狀十分接近，表明本征點(diǎn)缺陷幾乎沒(méi)有改變AlN的基態(tài)結(jié)構(gòu)。然而，圖4（b）–（i）顯示，當(dāng)參雜不同的外來(lái)元素時(shí)，所有系統(tǒng)的DOS都發(fā)生了變化，即所有體系都有兩個(gè)鍵合峰。第一個(gè)坐落-6–0 eV處，由Al的3s和3p態(tài)與N的2p態(tài)的電子介孔產(chǎn)生。第二個(gè)(-16至-12eV）是由Al 3s和3p態(tài)與N 2s態(tài)的電子介孔產(chǎn)生的。
上述結(jié)果表明，Al和N之間存在共價(jià)鍵。反鍵峰坐落5eV左右，主要由Al的3p電子組成。受點(diǎn)缺陷影響，第一鍵峰變寬并增加了強(qiáng)度。此外，Al和N原子的軌道重疊稍為減緩，電子離域提高，共價(jià)鍵減小，從而增加強(qiáng)度。
圖5. 電子密度分布圖
為了更直觀(guān)地觀(guān)察電子在每位系統(tǒng)原子周?chē)姆植疾⑴卸ㄔ又g的相互作用，繪制了平行于含缺陷的（0 0 1）平面的電荷密度分布圖，電荷密度范圍為3.961×10-2至3.599 e -3。
紅色代表更多的電荷集聚，而白色代表更少的電荷分布。如圖5（a）所示，大多數(shù)電荷集中在N原子周?chē)驗(yàn)镹原子本身的最內(nèi)層自由電子比Al原子的多，并且一些電子也從Al原子轉(zhuǎn)移到N原子。并且電荷呈現(xiàn)局部化，原子之間的相互作用很強(qiáng)，使得AlN的強(qiáng)度更高。
圖5（b）–（c）表明，由于VAl的存在，與其相鄰N原子周?chē)碾娮泳钟蛐蕴岣撸鳹Al會(huì)增加電子密度。因此，原子之間的離子鍵提高，共價(jià)鍵減慢。因此，和系統(tǒng)的強(qiáng)度大于AlN。
圖5（d）–（f）表明，Si原子對(duì)相鄰N原子的電子分布影響最小，而O原子對(duì)相鄰氮原子的電子影響最大。因此，當(dāng)M原子代替Al原子時(shí)，O原子對(duì)AlN強(qiáng)度的影響最大，其次是C原子，Si原子的影響最小。該結(jié)果與估算的強(qiáng)度一致（＞＞）。
圖5（g）–（i）表明，當(dāng)O原子代替N原子時(shí)，它對(duì)相鄰N原子的電子分布的影響最小，而Si原子對(duì)相鄰N的電子分布影響最大。因此，當(dāng)M原子代替N原子時(shí)，Si原子對(duì)AlN強(qiáng)度的影響最大，其次是C原子，O原子的影響最小。該結(jié)果與估算的強(qiáng)度一致（＞＞）。
總之，缺陷的存在會(huì)影響AlN中電子的分布，使離子鍵更強(qiáng)，共價(jià)鍵較弱，從而減少AlN的強(qiáng)度。
圖6. 復(fù)介電函數(shù)
和含雜質(zhì)系統(tǒng)的介電函數(shù)的實(shí)部和虛部如圖6所示6，介電函數(shù)實(shí)部的縱座標(biāo)值為相應(yīng)的介電常數(shù)，無(wú)入射光情況下的值為靜態(tài)介電常數(shù)。當(dāng)介電常數(shù)較大時(shí)，系統(tǒng)對(duì)應(yīng)禁錮電荷的能力和極化能力更強(qiáng)。
、、、、、、、和系統(tǒng)的靜態(tài)介電常數(shù)分別為1.96、3.51、3.05、2.36、2.04、2.73、5.36、22.42和2.13。所有含雜質(zhì)系統(tǒng)的靜態(tài)介電常數(shù)均小于純，表明雜質(zhì)的存在有助于降低靜態(tài)介電率，從而提升系統(tǒng)的極化率。
在所有系統(tǒng)中，的靜態(tài)介電常數(shù)最大，表明其具有最強(qiáng)的電荷結(jié)合能力和極化率，并且結(jié)構(gòu)的光生電場(chǎng)強(qiáng)度變大，這有利于光生電子-空穴對(duì)的遷移和分離。當(dāng)Si雜質(zhì)步入中的Al位置時(shí)，它對(duì)的結(jié)合電荷能力和極化能力影響最大。
含雜質(zhì)系統(tǒng)的介電函數(shù)的實(shí)部曲線(xiàn)與純的主要差別在0–5eV范圍內(nèi)，并且在能量小于5eV后，該曲線(xiàn)沒(méi)有變化。和系統(tǒng)的介電函數(shù)的實(shí)部在2.4–5.0 eV的范圍內(nèi)大于0，即光不能在此能量范圍內(nèi)傳播。
圖7. 復(fù)折射率
如圖7所示，復(fù)折射率的實(shí)部是折射率，虛部是消光系數(shù)。折射率曲線(xiàn)表示在相應(yīng)能量的光子照射下晶體的宏觀(guān)折射率。當(dāng)光子能量為0eV時(shí)，純的靜態(tài)折射率為1.40。含雜質(zhì)系統(tǒng)、、、、、、和在光子能量為0 eV時(shí)的靜態(tài)折射系數(shù)分別為1.87、1.75、1.53、1.43、1.65、2.31、4.74和1.46。雜質(zhì)都不同程度地提升了純AlN的折射率，其中體系的折射率最大。
這一結(jié)果與介電常數(shù)的結(jié)果一致。與純AlN相比，含雜質(zhì)系統(tǒng)的折射率在0–7eV范圍內(nèi)變化很大。消光系數(shù)反映了晶體在相應(yīng)光子能量下對(duì)入射光的吸收。
圖7（b）顯示，與純相比，所有含雜質(zhì)系統(tǒng)的消光系數(shù)都移到了較低的能量區(qū)域，并且所有含雜質(zhì)的系統(tǒng)在0–5 eV范圍內(nèi)都有一個(gè)新的峰值。和系統(tǒng)在0–5 eV范圍內(nèi)的峰小于五老峰的最大峰。
純的消光系數(shù)的最大峰值為1.50，雜質(zhì)系統(tǒng)、、、、、、和的最大峰值分別為1.44、1.43、1.49、1.49，1.40、1.82、4.29和1.47。表明Si雜質(zhì)對(duì)的消光系數(shù)影響最大。
圖8. 吸收譜
當(dāng)入射光的震動(dòng)頻度與物質(zhì)中原子的震動(dòng)頻度一致時(shí)，發(fā)生共振吸收。此時(shí)，入射光的能量被強(qiáng)烈吸收，使得電子從低基態(tài)到高能級(jí)吸收光子。圖8顯示了所有系統(tǒng)在深紫外區(qū)域都有很強(qiáng)的光吸收，表明AlN特別適宜作為深紫外探測(cè)器。所有含雜質(zhì)系統(tǒng)的吸收波譜都向更長(zhǎng)的波長(zhǎng)方向聯(lián)通，顯示出不同程度的紅移。
在可見(jiàn)光范圍內(nèi)，具有最佳的光吸收和最高的可見(jiàn)光利用率。所有含雜質(zhì)體系的最強(qiáng)吸收峰的位置與純?cè)诩s130nm波長(zhǎng)處的吸收峰相同。與純相比，除和體系外，其他體系的最強(qiáng)吸收峰均增加。總之，雜質(zhì)的存在增強(qiáng)了AlN的光吸收率，因?yàn)樗淖兞薃lN電子結(jié)構(gòu)，從而降低了AlN在可見(jiàn)光波段的吸收率。
圖9. 反射率分布
反射率是當(dāng)入射光撞擊晶體時(shí)光的色散是折射嗎光的色散是折射嗎，晶體表面反射光的硬度與入射光的硬度之比。反射率的大小與許多誘因有關(guān)（入射光的角度、強(qiáng)度、波長(zhǎng)和材料表面的特點(diǎn)），而相應(yīng)的反射率如圖9所示。
當(dāng)光子能量為0時(shí)，純的反射率為0.03，、、、、、、和的反射率值分別為0.09、0.07、0.04、0.04、0.06、0.16、0.42、0.04，即雜質(zhì)在不同程度上提高了的反射率。在0–6 eV的范圍內(nèi)，與純相比，、、、、和系統(tǒng)的反射顯著提高。
所有系統(tǒng)都具有7–15 eV范圍內(nèi)的兩個(gè)反射峰。與純相比，除和體系外，所有體系的反射峰都有不同程度的減少。這一結(jié)果與吸收波譜剖析一致，即若果一種材料在某一波段具有較高的光吸收率，則相應(yīng)的反射率也較高。
圖10. 能量損失函數(shù)
能量損失函數(shù)是描述電子快速通過(guò)材料時(shí)能量損失的重要誘因。圖10顯示了和含雜質(zhì)系統(tǒng)的能量損失函數(shù)。在0–5 eV的范圍內(nèi)，每個(gè)系統(tǒng)的能量損失略有不同。對(duì)于所有系統(tǒng)，在12–15 eV的范圍內(nèi)都出現(xiàn)了強(qiáng)能量損失函數(shù)峰值。與純相比，除和系統(tǒng)外，含雜質(zhì)系統(tǒng)的能量損失增加。
結(jié)論展望
結(jié)果表明，和體系的抗變型能力較差，硬度較小。當(dāng)雜質(zhì)C或O坐落N(xiāo)位置時(shí)，對(duì)AlN各向異性的影響相對(duì)較大。O雜質(zhì)和Al空位對(duì)AlN晶格的熱導(dǎo)率有較大影響。當(dāng)O雜質(zhì)坐落N(xiāo)位置而Si雜質(zhì)坐落Al位置時(shí)，對(duì)AlN的光學(xué)性質(zhì)的影響相對(duì)較大，這些將有助于改善AlN的偏振光能力、折射率、反射率和可見(jiàn)光的吸收。
文獻(xiàn)信息
Zhang Y, Hou Q. First- study on the of point on the , , and of AlN[J]. , 2022: .