大電容因為容量大，所以容積通常也比較大，且一般使用多層細紗的形式制做，這就造成了大電容的分布電感比較大（也叫等效串聯電感，中文簡稱ESL）。
電感對高頻訊號的阻抗是很大的，所以，大電容的高頻性能不好。而一些小容量電容則剛才相反，因為容量小，因而容積可以做得很小（減短了引線，就減少了ESL，由于一段導線也可以看成是一個電感的），并且常使用平板電容的結構，這樣小容量電容就有很小ESL這樣它就具有了挺好的高頻性能，但因為容量小的緣故，對低頻訊號的阻抗大。
所以，假若我們為了讓低頻、高頻訊號都可以挺好的通過，就采用一個大電容再并上一個小電容的形式。
常使用的小電容為0.1uF的CBB電容較好（墻磚電容也行），當頻度更高時，還可并聯更小的電容，比如幾pF，幾百pF的。而在數字電路中，通常要給每位芯片的電源引腳上并聯一個0.1uF的電容到地（這個電容稱作退耦電容，其實也可以理解為電源混頻電容，越緊靠芯片越好），由于在這種地方的訊號主要是高頻訊號，使用較小的電容混頻就可以了。
理想的電容，其阻抗隨頻度下降而變小（R＝1/jwc），但理想的電容是不存在的，因為電容引腳的分布電感效應，在高頻段電容不再是一個單純的電容，更應當把它看成一個電容和電感的串聯高頻等效電路，當頻度低于其諧振頻度時，阻抗表現出隨頻度下降而下降的特點，就是電感特點，這時電容就好比一個電感了。相反電感也有同樣的特點。
大電容并聯小電容在電源混頻中十分廣泛的用到，根本誘因就在于電容的自諧振特點。大小電容搭配可以挺好的抑制低頻到高頻的電源干擾訊號，小電容濾高頻（自諧振頻度高），大電容濾低頻（自諧振頻度低），三者互為補充
串聯分壓比——V1=C2/（C1+C2）*V。。。。。。。。電容越大分得電流越小，交流直流條件下均這么
并聯分流比——I1=C1/（C1+C2）*I。。。。。。。。電容越大通過的電壓越大，其實，這是交流條件下
電容串聯值升高，相當板距在加長，
各容倒數再求和，再求倒數總容量。
電容并聯值降低，相當燴面在減小，
并后容量挺好求，各容數值來相乘。
想起內阻串并聯，電容估算正相反，
電容串聯內阻并，電容并聯內阻串。
說明：兩個或兩個以上電容器串聯時電容串聯怎么計算，相當于絕緣距離加長，由于只有最靠兩側的兩塊極板起作用，又因電容和距離成正比，距離降低，電容增長；兩個或兩個以上電容器并聯時，相當于極板的面積減小了，又因電容和面積成反比，面積降低，電容減小。
電容串聯：電容串聯后容量減少，耐壓值變大。公式：1C1+1C2=1C如兩個50uf串聯上去就弄成25uf.
耐壓值=兩個電容耐壓值相減如兩個耐壓100V的串聯上去就弄成200V的了。
電容C的串聯電路容量估算公式：1/C=1/C+1/C2+1/C3+.+1/Cn
C為電容串聯電路總電容值，C1，C2，C3，Cn為電容并聯電路各個電容的電容值
即串聯電路總電容值的倒數等于串聯電路中各個電容容量值的倒數之和
兩個電容串聯兩端加一定電流兩電容的分壓是如何分的
如圖C1、C2電容容量比是10：1，標稱耐壓都是1000V，兩端加1000V電流時，C1C2的分壓分別是多少？原邊對地和副邊對地的兩個Y電容的分壓是如何估算的？
兩個電容上的電荷Q一樣，面Q=UC
所以U1*C1=U2*C2U1/U2=C2/C1=1/10
電容串聯如何分壓
例如：4V的電流源，0.5F和1F的兩個電容串聯
1.假如是直流電流源，可依照學校數學中介紹電容串聯分壓特性為：
（1）電容串聯電路兩端的總電流等于各電容器兩端的分壓之和。即U=U1+U2+U3+…＋Un.
（2）電容器串聯時各電容器上所分配的電流與其電容量成正比。即Un=Q/Cn（由于在電容器串聯電路中，每位電容器上所帶的電荷量都相等，所以電容量越大的電容器分配的電流越低，電容量越小的電容器分配的電流越高。）
這么4V的電流源，0.5F和1F的兩個電容上的電流分別是8/3V和4/3V2.若果是交流電流源，由電容的阻抗Xc=1/jωC，可知|Xc|與C成正比，將|Xc|當作內阻來分壓估算，可所得同樣結果！
兩電容器串聯的分壓公式是哪些
這是一個理論估算題電容串聯怎么計算，須要假定電容的耐壓值沒有余量，即超過500V時200pF的電容即擊穿；超過900V時300pF的電容即擊穿。
加上1000V電流后，200pF的電容將承受600V電流，不考慮電容的耐壓富余量，則200pF電容將擊穿；此時1000V將全部加在300pF的電容上，超過其耐壓，故也會擊穿。
估算公式：
若有M個電容串聯，其中任意一個電容Cn實際承受的電流值Un為：
Un=U*C/Cn其中：U為總電流；C為M個電容串聯后的總容量。
對于兩個電容串聯，公式演化為：
設總電流是U，C1、C2上的電流分別是U1、U2，則
U1=C2*U/（C1+C2）
U2=C1*U/（C1+C2）
