洪朝勝
洪朝圣（1920年10月10日—2018年8月19日），著名物理學家，我國低溫物理和低溫技術研究的先驅。 1952年加入九三學社，1980年當選為中國科學院院士（院士）。
2018年8月19日，洪朝生因病在北京去世，享年98歲。
科學無國界，但科學家有祖國
1920年，洪潮聲出生于北京。 其父洪館燾早年加入同盟會，后赴法國、比利時留學八年，專攻鐵路工程。 回國后，歷任隴海鐵路潼關至西安工程局局長、總工程師，鐵道部路政司技術干事。 我的外祖父高孟丹是近代著名的出版家。
洪朝勝在北京育英學校和匯文中學兩所教會學校度過了中學時代。 在匯文高中就讀期間，在著名物理老師張培虎等人的指導下，他對物理產生了濃厚的興趣，立志成為一名物理學家。 1936年，洪潮聲考入清華大學物理系，但信奉“工科救國”的父親堅決反對他學物理，要求他轉學工科。 1937年抗日戰爭爆發后，清華大學南遷長沙。 他曾與同學商量去延安，但因交通堵塞等原因未能成行。 1938年，學校再次南遷，他隨學校“湘黔滇游團”徒步3000多里來到昆明，到西南聯大學習。 1940年聯大大學畢業后，在該校電機系任助教四年。
1938年，湘黔滇旅行團第一中隊和第二旅第一支隊隊員合影（前排左二為洪朝勝）
1944年，洪潮聲通過耿耿助學考試，同時赴英國、美國留學。 在西南聯大教師范緒軍的建議下，1945年赴美國麻省理工學院學習電子物理，1948年獲博士學位，后進入普渡大學從事研究。 在此期間，洪朝勝在半導體鍺單晶低溫輸運現象實驗中發現了雜質能級的傳導現象，形成了雜質傳導的概念，引發了國際上對無序電子輸運機制的探索。系統。 其發表的論文參考壽命超過60年。
1950年，洪潮聲（左）與鄧稼先（右）在普渡大學合影。
1948年，九三學社圣人、“兩彈一星”創始人鄧稼先也到普渡大學深造，并與洪潮聲成為摯友。 有一段時間，他們一起住在一位美國老太太的閣樓里。 雖然出國留學很辛苦，但還是會發生一些有趣的事情。 有一次他們去吃飯，兩塊牛排端上來后，鄧稼先看著他們，對洪朝生說：“我的一塊小，你的一塊大。” 洪朝生把自己的那一份給了鄧稼先。
在美國期間，洪潮生積極參加“北美中國學生聯誼會”和“留學美國聯誼會”的進步學生活動。 新中國成立時，他正在普渡大學留學。 他激動不已，按照《華僑報》轉載的圖案和制作說明，在方格紙上仔細地畫出了五星級紅旗的圖案，表達了他對偉大祖國的熱烈感情。
洪朝勝手繪五星紅旗
在普渡大學期間，洪朝勝聯系清華大學，了解回國后適合從事什么樣的研究工作。 他收到了錢三強和彭煥武先生的回信，低溫物理非常重要，我國也應該發展這一領域。 基礎研究，并建議他再去西歐一年高中物理大師，增加低溫物理知識。 于是，洪超勝進入荷蘭萊頓大學以著名物理學家翁尼斯命名的低溫實驗室，從事超流氦的實驗研究。 1952年初，洪潮生放棄國外的有利條件，毅然回國，投身于新中國低溫事業的創建和發展。
多年后，當他的學生張殿林問他如果沒有回到國會會怎樣高中物理大師，是否會取得更大的學術成就時，洪朝生搖搖頭說：“不會。” 他從未動搖或后悔回國的決定。
為祖國的科學研究奉獻了一生
新中國成立后，我國低溫物理領域完全是空白，無從談起低溫研究儀器。 當時中國沒有液氦機，歐美國家也不愿意向中國出售液氦機。 洪朝勝根據這些設備的科學原理，進行了先進設備的自主研發。 1953年，洪潮生在中國科學院物理研究所建立了我國第一個低溫實驗室，并主持研制低溫研究設備。 在科研人員的共同努力下，1956年研制出能夠生產液氫的液化器，1959年成功液化氦。這些技術的掌握打破了西方國家的技術壟斷，邁出了我國低能化的第一步。溫度物理研究，為我國的科學研究，特別是“兩彈一星”的研制成功做出了貢獻。 1970年，他帶領低溫研究組完成了大型空間環境模擬系統KM3、KM4低溫氦制冷系統的研制，為衛星發射提供了空間環境模擬試驗條件，為我的航天事業發展做出了貢獻。國家的航空航天工業。 “KM4大型航天環模裝備的研制”獲1985年國家科技進步一等獎。
20世紀80年代初，隨著超導研究和航天技術的發展，國內對低溫技術的需求不斷增加。 中國科學院成立綜合性低溫技術研發機構“中國科學院低溫技術實驗中心”，開展氦制冷技術、低溫技術實驗技術和低溫技術應用基礎研究，洪超生被任命為該中心主任。
洪朝勝帶領的科研團隊除了開展磁制冷基礎應用研究和制冷系統自動控制裝置的研制外。 同時，他逐步建立了液氦實驗室、低溫強磁場實驗室等一批向全國開放的公共實驗。 該實驗室為推動超導技術的進步提供了實驗條件。 由于他在低溫物理研究領域的杰出成就，國際低溫工程委員會決定將2000年門德爾森獎授予洪超勝。 該獎項旨在表彰他在液氫、液氦和超導應用領域的杰出研究。 對能力的高度肯定。
九三學社科技大師為新中國半導體產業奠定基礎
九三學社成立以來，秉承愛國、民主、科學的優良傳統，聚集了一批在中國乃至世界有較大影響力的科技巨人。 洪朝生還與九三學社會員、我國固體物理和半導體物理先驅、中科院院士黃昆結下了深厚的友誼。
1941年黃昆從北京燕京大學畢業時合影
洪朝生與黃坤的關系可以追溯到20世紀40年代。 1944年，黃昆從西南聯大研究生畢業，考入第八屆“庚子賠款”公費留學英國。 物理學有兩個名額，另一個名額被洪朝圣拿走了。 由于洪潮生也考入“庚子賠”公費赴美留學，最終選擇去美國麻省理工學院留學。
1951年，黃昆從英國回到中國。 1952年，洪潮聲從美國回到中國。 洪朝勝曾在美國對鍺進行低溫電學測量，提出了雜質導帶的概念。 回國后，他在中國科學院應用物理研究所建立了低溫實驗室。 黃昆回國后，于1953年開始主持北京大學物理系固體物理教研室。因為他們對新興半導體科學將發生的重大變革有著共同的認識和追求。給人類社會帶來了影響，洪朝生與黃坤的交往逐漸增多。
1954年下半年，洪潮聲、黃昆等物理學家就我國半導體科學的發展問題召開專題討論會，每周一個下午進行討論。 這項工作持續了很長時間。 1954年，北京大學物理系為半導體專業學生開設了“半導體物理”課程。 這門新興課程由黃坤、洪超勝、王守武、唐定遠聯合授課。 許多從事“兩彈一星”研究的科技人員都來自這里，或者聽過他們的講座。
周培源，中國科學院院士，我國理論物理學和現代力學奠基人之一
2010年6月，洪朝勝（左）與史昌旭（右）在中國科學院第十五次院士大會期間交流。
1956年1月30日至2月4日，“半導體物理研討會”在中國科學院應用物理研究所禮堂舉行。 會上，洪超生首先就半導體科學發展的一般性問題做了報告，隨后黃坤等9位科學家就半導體重要領域的科學內容和發展概況做了報告。 對于這次研討會，原九三學社中央主席、時任物理學會會長周培源院士在《半導體會議論文集》序言中總結道：“半導體的研究與利用是一個新興的科學技術領域，直到近十幾年來，科學先進國家投入了大量的人力、物力開發了這一領域，且速度不斷加快。在我國，由于科學基礎薄弱，不言而喻，解放前沒有這方面的研究工作，解放后才有少數人開始準備半導體研究。但研究實力非常薄弱。 在我國1956年至1967年制定的《十二年科學技術發展遠景規劃》中，半導體技術被列為我國的一項新技術。 科技四項應急措施之一。
2018年8月19日，洪朝生度過了生命中最后的光芒。 大師雖然走了，但他的科技報國、求實創新、嚴謹務實的科學精神將被九三學社的會員們永遠傳承下去。 （楊勤東子）