由于并聯(lián)內阻兩端的電流相同，依照歐姆定理可求出各并聯(lián)大道的分支電壓為
因為電路中總電壓等于各分支電壓的和，則
即式中R為并聯(lián)電路的等值內阻，將上式兩端同乘以U則
所以，并聯(lián)電路中總內阻的電阻，等于各并聯(lián)內阻的倒數(shù)之和。
假如上述并聯(lián)內阻電阻均相同R1=R2=R3，則并聯(lián)內阻總內阻電阻估算公式弄成：
上述公式中，為RN為各個環(huán)路的內阻電阻；N為并聯(lián)的大道數(shù)。
晶振串聯(lián)內阻與并聯(lián)內阻作用
一份電路在其輸出端串接了一個22K的內阻，在其輸出端和輸入端之間接了一個10M的內阻。這兒介紹這是因為聯(lián)接晶振的芯片端內部是一個線性運算放大器，將輸入進行反向180度輸出，晶振處的負載電容內阻組成的網(wǎng)路提供另外180度的相移，整個支路的相移360度，滿足振蕩的相位條件，同時還要求閉環(huán)增益小于等于1，晶體才正常工作。
和晶振串聯(lián)的內阻常拿來防治晶振被過份驅動。晶振過于驅動的后果是將逐步耗損降低晶振的接觸鍍鎳電阻的串聯(lián)和并聯(lián)的特點，這將導致頻度的上升，并造成晶振的初期失效，又可以講調整用。拿來調整和發(fā)振余裕度。晶振輸入輸出聯(lián)接的內阻作用是形成負反饋，保證放大器工作在高增益的線性區(qū)，通常在M歐級，輸出端的內阻與負載電容組成網(wǎng)路，提供180度相移，同時起到限流的作用，避免反向器輸出對晶振過驅動，毀壞晶振。
Xin和Xout的內部通常是一個施密特反相器，反相器是不能驅動晶體回落的。為此，在反相器的兩端并聯(lián)一個內阻，由內阻完成將輸出的訊號反向。
內阻的作用是將電路內部的反向器加一個反饋回路，產生放大器，當晶體并在其中會使反饋回路的交流等效根據(jù)晶體頻度諧振，因為晶體的Q值十分高，因而內阻在很大的范圍變化都不會影響輸出頻度。過去電阻的串聯(lián)和并聯(lián)的特點，當初試驗此電路的穩(wěn)定性時，試過從100K～20M都可以正常啟振，但會影響占空比比的。