重要的事情放到上面：
本文大多數內容（包括實驗目的、實驗原理、實驗儀器、實驗內容、思考題）均始于學院化學實驗指導書，并非本人原創，其余均為本人原創。
實驗數據均為本人經過實驗得出，置于這兒是為了展示完整的實驗報告，并供讀者參考和學習，請端正學習態度，請勿剽竊、無故更改、偽造實驗數據！
由于技術緣由，有一些數字抒發在這寫得不標準。
本人的內容排版和本人的原創部份嚴禁轉載！嚴禁轉載！
實驗過程雜談視頻：
實驗報告正文：
一、實驗目的
1.了解光電效應原理、光敏內阻工作原理和基本特點。
2.把握光路的調整方式。
3.提升在光電效應原理、光敏內阻工作原理和基本特點以及應用方面的資料信息的選擇收集能力。
二、實驗原理
物體在光的作用下釋放出電子的現象稱為光電效應，所釋放出的電子稱為光電子。光電效應分為內光電效應和外光電效應。入射光子使吸收光的物質表面發射電子，這些效應稱為外光電效應或光電發射效應；光迸發的自旋仍保留在晶體內部稱為內光電效應，它又可分為光導效應和光伏效應。有些半導體材料在黑暗環境下的阻值很大，但遭到光照射時，若光子的能量小于半導體材料的禁帶長度，則價帶中的電子吸收光子的能力后才會躍遷到導帶，從禁錮狀態弄成自由狀態，迸發出電子—空穴對，這樣因為半導體中自旋含量的降低，使材料的濁度率降低，濁度率的改變量為
該式中，e為電荷電量，△p為空穴含量的改變量，△n為電子含量的改變量，μp為空穴的轉移率，μn為電子的遷移率。
照射光線越強，內阻值增長愈多，光照停止，自由電子與空穴逐漸復合，內阻又恢復原先值，這就是光導效應，按照這一原理制成的元件稱為光敏阻值。光敏內阻沒有極性，使用時在內阻兩端加上直流或交流展寬。光敏內阻不受光照射時的阻值稱為暗內阻，此時流過的電壓稱為暗電壓；受光照射時的內阻稱為亮點阻，對應的電壓稱為亮電壓。亮電壓與暗電壓之差稱為光電流。光電流越大，靈敏度越高。
光敏內阻的基本特點包括伏安特點、光照特點、光電靈敏度、光譜特點、頻率特點和濕度特點。
光照特點是指在一定的外加電流下，光敏內阻的光電流與光通量之間的關系。光電流隨著色溫的變化而改變的規律稱為光照特點。不同類型的光敏內阻的光照特點不同，當入射光很強或很弱時，光敏內阻的光電流與光照之間會呈現非線性關系；其它亮度區域近似呈線性關系。不同類型的光敏內阻的光照特點不同，但大多數光敏內阻的光照特點是非線性的。
三、實驗儀器
本實驗儀器是一種檢測光敏內阻基本特點的實驗裝置，包括伏安特點和光照特點。實驗裝置結構如右圖所示，在滑軌上安置五個磁力滑座，分別將光源、兩個聚光鏡、偏振器、接收器插入滑座內。打開光源，調整聚光鏡，使平行光均勻入射到偏振光片上電阻的測量實驗報告電阻的測量實驗報告，調整聚光鏡及接收器使她們處于同一光軸。旋轉偏振光器的手輪，刻度為0時通過的光能最強；刻度為90°時通過的光能最弱，通過旋轉手輪改變入射到接收器的光強。按照光敏內阻特點，在一定亮度下檢測光敏內阻的電流與光電流的關系；在一定工作電流下，檢測光敏內阻的亮度與光電流的關系。
儀器的調整如下：
（1）粗調：目測調節各光學器件、光源的中心軸至大致等高。
（2）細調：按照透鏡共軛法成像的特性，將光源和兩透鏡調整至共軸等高，將偏振光器調整至與光軸同軸等高，再調節兩透鏡位置使出射光能均勻照射到光敏內阻并使光電流輸出最大。
四、實驗內容
1.在一定亮度下，檢測光敏內阻電流與電壓的關系曲線。
2.在一定工作電流下，檢測光敏內阻的亮度與電壓的關系曲線。
五、數據記錄
1.光敏內阻電流與電壓的關系：
2.光敏內阻的亮度與電壓的關系：（U=2.06V）
六、數據處理
光敏內阻電流與電壓的關系（θ=30°）
光敏內阻電流與電壓的關系（θ=60°）
光敏內阻的亮度與電壓的關系：（U=2.06V）
七、結果陳述
對“光敏內阻的亮度與電壓的關系”一圖，理論上當入射光很強或很弱時，光敏內阻的光電流與光照之間會呈現非線性關系，其它亮度區域近似呈線性關系；對另外兩圖線性關系還是很顯著的。
八、實驗總結與思索題
1.實驗總結：
在這個實驗中，前期打算是重中之重，首先是要對器件進行共軸調節，使它們在一條水平線上，之后按照實驗步驟獲取數據即可。
2.思索題：
（1）哪些是透鏡共軛成像？
透鏡共軛成像，指透鏡成像時，物距和像距的大小可以互換，兩種情況下分別成放大、縮小的倒立虛像。對于透鏡而言，通過光心且與光軸垂直的平面，既是物方主平面也是像方主平面重合。物距與像距存在共軛關系，物距越遠，像距越近；相反，物距越近，像距越遠。物距、像距的關系與凸透鏡的成像規律完全一樣，物體緊靠時，像越來越遠，越來越大，最后再同側成實像。
（2）設置聚光鏡4的目的是哪些？
通過聚光鏡4使出射光會聚，使之高效地照射到接收器5的光敏內阻上。
九、相關題
1.本實驗研究光敏內阻的光照特點采用哪些方式改變光照硬度（B）
A.調節接收器的位置
B.通過改變偏振光片的傾角來控制入射光的硬度
C.調節聚光鏡的物、像距
2.實驗中，光照特點和伏安特點分別是研究光敏內阻的光電流與（C）之間的關系
A.光通量、電阻
B.光強、光通量
C.光通量、電壓
3.影響光敏內阻電阻大小主要誘因（ABC）
A.構成半導體的材料特點
B.光照硬度
C.光的頻度
4.光敏內阻的基本特點包括（ABCDE）
A.頻譜特點
B.光照特點
C.光電靈敏度特點
D.伏安特點
E.氣溫特點
5.本實驗的實驗目的是（ABCD）
A.檢測光敏內阻的伏安特點曲線和光照特點曲線
B.了解光電效應的原理
C.把握光路的調整方式
D.了解光敏內阻的工作原理和基本特點
6.光照形成電子-空穴對的條件是（AD）
A.光子頻度足夠大
B.光照時間足夠長
C.光強足夠大
D.光子能量足夠高
7.影響半導體內阻大小的誘因有（ABC）
A.半導體被光迸發
B.禁帶長度的大小
C.氮化物含量
8.（判定題）光敏內阻常用于光開關元件。
標準答案：正確
9.(判定題)光敏內阻的電阻隨光照硬度呈非線性關系。
標準答案：正確
10.(判定題)給光敏內阻加電流后，假如沒有光照，光敏內阻中的電壓為零。
標準答案：錯誤
