我們?cè)谟^察晶體振蕩電路時(shí)，一般會(huì)聽到那么幾個(gè)電子元元件，晶振和晶振兩側(cè)的電容。電容一端接地串聯(lián)和并聯(lián)電阻熱量，一端接晶振。還有就是兩個(gè)內(nèi)阻，一個(gè)是跨接在晶振兩端，一個(gè)接在晶振的輸出端，同芯片相連。旁接的電容我們都曉得叫匹配電容，它們的大小可以改變振蕩電路的頻度，通過試驗(yàn)就可以觀察的到。而兩個(gè)分別串并得內(nèi)阻各自起到哪些作用，其值選多大，則甚少聽人介紹過。下邊就針對(duì)這個(gè)問題晶科鑫的工程師幫您進(jìn)行解答。
舉例，一個(gè)振蕩電路在其輸出端串接了一個(gè)22K的內(nèi)阻，在其輸出端和輸入端之間接了一個(gè)10M的內(nèi)阻。
電路并聯(lián)內(nèi)阻是因?yàn)槁?lián)接晶振的芯片端內(nèi)部是一個(gè)線性運(yùn)算放大器，將輸入進(jìn)行反向180度輸出，晶振處的負(fù)載電容內(nèi)阻組成的網(wǎng)路提供另外180度的相移，整個(gè)支路的相移360度，滿足振蕩的相位條件，同時(shí)還要求閉環(huán)增益小于等于1，晶體才正常工作。Xin和Xout的內(nèi)部通常是一個(gè)施密特反相器，反相器是不能驅(qū)動(dòng)晶體回落的。為此，在反相器的兩端并聯(lián)一個(gè)內(nèi)阻，由內(nèi)阻完成將輸出的訊號(hào)反向。內(nèi)阻的作用是將電路內(nèi)部的反向器加一個(gè)反饋回路，產(chǎn)生放大器，當(dāng)晶體并在其中會(huì)使反饋回路的交流等效根據(jù)晶體頻度諧振，因?yàn)榫w的Q值十分高，因而內(nèi)阻在很大的范圍變化都不會(huì)影響輸出頻度，但會(huì)影響占空比比的。
電路串聯(lián)內(nèi)阻常拿來防治晶振被過份驅(qū)動(dòng)。晶振過于驅(qū)動(dòng)的后果是將逐步耗損降低晶振的接觸鍍鎳，這將導(dǎo)致頻度的上升，并造成晶振的初期失效，又可以講drivelevel調(diào)整用。拿來調(diào)整drivelevel和發(fā)振余裕度。
推論為，晶振輸入輸出聯(lián)接的內(nèi)阻作用是形成負(fù)反饋，保證放大器工作在高增益的線性區(qū)，通常在M歐級(jí)，KHz晶振電路，并聯(lián)內(nèi)阻一般為10M歐，MHz晶振，并聯(lián)電容一般為1M歐左右。輸出端串聯(lián)內(nèi)阻與負(fù)載電容組成網(wǎng)路，提供180度相移，同時(shí)起到限流的作用，避免反向器輸出對(duì)晶振過驅(qū)動(dòng)串聯(lián)和并聯(lián)電阻熱量，毀壞晶振。其值的大小一般為幾百K歐姆較多，具體大小須要通過調(diào)試，按照過驅(qū)程度去選取串接多大內(nèi)阻。
其實(shí)不是每位振蕩電路都聽到了上述介紹的各類電子元元件，上述介紹的是教科般的理論電路，在實(shí)際電路中，可能依據(jù)電路的實(shí)際須要可以省去個(gè)別元元件，或芯片外置上述元元件，所以須要依照實(shí)際應(yīng)拿來剖析和了解各元件的功能和作用的。