我們在觀察晶體振蕩電路時，一般會聽到那么幾個電子元元件，晶振和晶振兩側的電容。電容一端接地串聯和并聯電阻熱量，一端接晶振。還有就是兩個內阻，一個是跨接在晶振兩端，一個接在晶振的輸出端，同芯片相連。旁接的電容我們都曉得叫匹配電容，它們的大小可以改變振蕩電路的頻度，通過試驗就可以觀察的到。而兩個分別串并得內阻各自起到哪些作用，其值選多大，則甚少聽人介紹過。下邊就針對這個問題晶科鑫的工程師幫您進行解答。
舉例，一個振蕩電路在其輸出端串接了一個22K的內阻，在其輸出端和輸入端之間接了一個10M的內阻。
電路并聯內阻是因為聯接晶振的芯片端內部是一個線性運算放大器，將輸入進行反向180度輸出，晶振處的負載電容內阻組成的網路提供另外180度的相移，整個支路的相移360度，滿足振蕩的相位條件，同時還要求閉環增益小于等于1，晶體才正常工作。Xin和Xout的內部通常是一個施密特反相器，反相器是不能驅動晶體回落的。為此，在反相器的兩端并聯一個內阻，由內阻完成將輸出的訊號反向。內阻的作用是將電路內部的反向器加一個反饋回路，產生放大器，當晶體并在其中會使反饋回路的交流等效根據晶體頻度諧振，因為晶體的Q值十分高，因而內阻在很大的范圍變化都不會影響輸出頻度，但會影響占空比比的。
電路串聯內阻常拿來防治晶振被過份驅動。晶振過于驅動的后果是將逐步耗損降低晶振的接觸鍍鎳，這將導致頻度的上升，并造成晶振的初期失效，又可以講drivelevel調整用。拿來調整drivelevel和發振余裕度。
推論為，晶振輸入輸出聯接的內阻作用是形成負反饋，保證放大器工作在高增益的線性區，通常在M歐級，KHz晶振電路，并聯內阻一般為10M歐，MHz晶振，并聯電容一般為1M歐左右。輸出端串聯內阻與負載電容組成網路，提供180度相移，同時起到限流的作用，避免反向器輸出對晶振過驅動串聯和并聯電阻熱量，毀壞晶振。其值的大小一般為幾百K歐姆較多，具體大小須要通過調試，按照過驅程度去選取串接多大內阻。
其實不是每位振蕩電路都聽到了上述介紹的各類電子元元件，上述介紹的是教科般的理論電路，在實際電路中，可能依據電路的實際須要可以省去個別元元件，或芯片外置上述元元件，所以須要依照實際應拿來剖析和了解各元件的功能和作用的。