電瓶片內(nèi)部存在多種電壓，如暗電壓、反向電壓、漏電壓等。
各類電壓都對組件的功率有或大或小的影響，分辨各類電壓的特點，才能排查導(dǎo)致組件功率異常的緣由，有助于問題的徹底解決。
暗電壓
暗電壓（）亦稱無照電壓，是指P-N結(jié)在反展寬條件下，沒有入射光時形成的反向直流電壓。通常因為自旋的擴散形成或則元件表面和內(nèi)部的缺陷以及有害的雜質(zhì)造成。擴散形成的原理是在PN結(jié)內(nèi)部，N區(qū)電子多，P區(qū)空穴多，由于含量差，N區(qū)的電子就要向P區(qū)擴散，P區(qū)的空穴要向N區(qū)擴散，雖然PN結(jié)內(nèi)建電場是制止此類擴散的，但實際上這中擴散仍然進行，只是達到了一個動態(tài)的平衡，這是擴散電壓的產(chǎn)生。另外當(dāng)元件的表面和內(nèi)部有缺陷時，缺陷基態(tài)會起到復(fù)合中心的作用，它會打動電子和空穴在缺陷基態(tài)上進行復(fù)合，電子和空穴被俘獲到缺陷基態(tài)上時，因為自旋的聯(lián)通產(chǎn)生了電壓，同樣有害的雜質(zhì)在元件中也是起到復(fù)合中心的作用，道理和缺陷相同。
暗電壓通常在分選晶圓時要考慮，假如暗電壓過大能說明晶圓的質(zhì)量不合格，如表面態(tài)比較多，晶格的缺陷多，有存在有害的雜質(zhì)，或則參雜含量太高，這樣的晶圓制造下來的電瓶片常常少子壽命低，直接造成了轉(zhuǎn)換效率低!
對單純的晶閘管來說，暗電壓雖然就是反向飽和電壓，并且對太陽能電板而言，暗電壓不僅僅包括反向飽和電壓，還包括薄層漏電壓和體漏電壓。
反向飽和電壓
反向飽和電壓指給PN結(jié)加一反偏電流時，外加的電流促使PN結(jié)的用盡層變寬，結(jié)電場（即內(nèi)建電場）變大，電子的電勢能降低，P區(qū)和N區(qū)的多數(shù)氮化物（P區(qū)多子維空穴，N區(qū)多子為電子）就很難跨過勢壘，因而擴散電壓趨近于零，而且因為結(jié)電場的降低，致使N區(qū)和P區(qū)中的少數(shù)載流子更容易形成甩尾運動，因而在這些情況下，PN結(jié)內(nèi)的電壓由起支配作用的甩尾電壓決定。甩尾電壓的方向與擴散電壓的方向相反，表現(xiàn)在外電路上有一個留入N區(qū)的反向電壓，它是由少數(shù)自旋的飄移運動產(chǎn)生的。因為少數(shù)自旋是由本征迸發(fā)而形成的，在室溫一定的情況下，熱迸發(fā)產(chǎn)生的少子數(shù)目是一定的，電壓趨向恒定。
漏電壓
太陽能電板片可以分3層，即薄層（即N區(qū)），用盡層（即PN結(jié)），體區(qū)（即P區(qū)），對電瓶片而言，仍然是有一些有害的雜質(zhì)和缺陷的，有些是砷化鎵本身就有的，也有的是我們的工藝中產(chǎn)生的，這種有害的雜質(zhì)和缺陷可以起到復(fù)合中心的作用，可以俘獲空穴和電子，使它們復(fù)合，復(fù)合的過程一直伴隨著柵極的定向聯(lián)通，必然會有微小的電壓形成，這種電壓對測試所得的暗電壓的值是有貢獻的，由薄層貢獻的部份稱之為薄層漏電壓，由體區(qū)貢獻的部份稱之為體漏電壓。
測試暗電壓的目的
（1）避免擊穿
假如電瓶片弄成組件時，電瓶片的正正極被接反，或則組件被加上反偏電流時，因為電瓶片的暗電壓過大，電壓疊加后會迅速的將電瓶片擊穿，不過這樣的情況極少發(fā)生，所以測試暗電壓在這方面作用不是很大。
（2）監(jiān)控工藝
當(dāng)電瓶片工藝流程結(jié)束后，可以通過測試暗電壓來觀察可能出現(xiàn)的工藝的問題，后面說過，暗電壓是由反向飽和電壓和薄層漏電壓以及體漏電壓組成的，分別用J1泄露電流過大的原因，J2，J3表示，當(dāng)我們給片子加反偏電流時，暗電壓隨電流的下降而下降，分3個區(qū)，1區(qū)暗電壓由J2起支配作用，2區(qū)由J3起支配作用，3區(qū)由J1起支配作用，3個區(qū)的分界點由具體的測試電流而決定的。為何暗電壓會隨電流下降而減小呢？當(dāng)有電流加在片子上時，對晶圓有了電注入，電注入迸發(fā)出非平衡自旋，電流越大迸發(fā)的非平衡自旋越多，產(chǎn)生的暗電壓越大，暗電壓的下降速率隨電流越大而變慢，直至片子被擊穿。通常我們測試暗電壓的標(biāo)準(zhǔn)電流為12V，測得的曲線和標(biāo)準(zhǔn)的曲線相比后，可以的出片子的基本情況。如在1區(qū)發(fā)覺暗電壓過大則對應(yīng)的薄層區(qū)出了問題，2區(qū)暗電壓過大，說明問題出在體區(qū)，同樣3區(qū)出現(xiàn)問題，說明PN做的有問題，擴散，絲網(wǎng)彩印，濕度等參數(shù)就會影響暗電壓，只要曉得哪出了問題，就可以按照這去找出問題的緣由泄露電流過大的原因，所以測試暗電壓對工藝的研究是很有用的。