電瓶片內部存在多種電壓，如暗電壓、反向電壓、漏電壓等。
各類電壓都對組件的功率有或大或小的影響，分辨各類電壓的特點，才能排查導致組件功率異常的緣由，有助于問題的徹底解決。
暗電壓
暗電壓（）亦稱無照電壓，是指P-N結在反展寬條件下，沒有入射光時形成的反向直流電壓。通常因為自旋的擴散形成或則元件表面和內部的缺陷以及有害的雜質造成。擴散形成的原理是在PN結內部，N區電子多，P區空穴多，由于含量差，N區的電子就要向P區擴散，P區的空穴要向N區擴散，雖然PN結內建電場是制止此類擴散的，但實際上這中擴散仍然進行，只是達到了一個動態的平衡，這是擴散電壓的產生。另外當元件的表面和內部有缺陷時，缺陷基態會起到復合中心的作用，它會打動電子和空穴在缺陷基態上進行復合，電子和空穴被俘獲到缺陷基態上時，因為自旋的聯通產生了電壓，同樣有害的雜質在元件中也是起到復合中心的作用，道理和缺陷相同。
暗電壓通常在分選晶圓時要考慮，假如暗電壓過大能說明晶圓的質量不合格，如表面態比較多，晶格的缺陷多，有存在有害的雜質，或則參雜含量太高，這樣的晶圓制造下來的電瓶片常常少子壽命低，直接造成了轉換效率低!
對單純的晶閘管來說，暗電壓雖然就是反向飽和電壓，并且對太陽能電板而言，暗電壓不僅僅包括反向飽和電壓，還包括薄層漏電壓和體漏電壓。
反向飽和電壓
反向飽和電壓指給PN結加一反偏電流時，外加的電流促使PN結的用盡層變寬，結電場（即內建電場）變大，電子的電勢能降低，P區和N區的多數氮化物（P區多子維空穴，N區多子為電子）就很難跨過勢壘，因而擴散電壓趨近于零，而且因為結電場的降低，致使N區和P區中的少數載流子更容易形成甩尾運動，因而在這些情況下，PN結內的電壓由起支配作用的甩尾電壓決定。甩尾電壓的方向與擴散電壓的方向相反，表現在外電路上有一個留入N區的反向電壓，它是由少數自旋的飄移運動產生的。因為少數自旋是由本征迸發而形成的，在室溫一定的情況下，熱迸發產生的少子數目是一定的，電壓趨向恒定。
漏電壓
太陽能電板片可以分3層，即薄層（即N區），用盡層（即PN結），體區（即P區），對電瓶片而言，仍然是有一些有害的雜質和缺陷的，有些是砷化鎵本身就有的，也有的是我們的工藝中產生的，這種有害的雜質和缺陷可以起到復合中心的作用，可以俘獲空穴和電子，使它們復合，復合的過程一直伴隨著柵極的定向聯通，必然會有微小的電壓形成，這種電壓對測試所得的暗電壓的值是有貢獻的，由薄層貢獻的部份稱之為薄層漏電壓，由體區貢獻的部份稱之為體漏電壓。
測試暗電壓的目的
（1）避免擊穿
假如電瓶片弄成組件時，電瓶片的正正極被接反，或則組件被加上反偏電流時，因為電瓶片的暗電壓過大，電壓疊加后會迅速的將電瓶片擊穿，不過這樣的情況極少發生，所以測試暗電壓在這方面作用不是很大。
（2）監控工藝
當電瓶片工藝流程結束后，可以通過測試暗電壓來觀察可能出現的工藝的問題，后面說過，暗電壓是由反向飽和電壓和薄層漏電壓以及體漏電壓組成的，分別用J1泄露電流過大的原因，J2，J3表示，當我們給片子加反偏電流時，暗電壓隨電流的下降而下降，分3個區，1區暗電壓由J2起支配作用，2區由J3起支配作用，3區由J1起支配作用，3個區的分界點由具體的測試電流而決定的。為何暗電壓會隨電流下降而減小呢？當有電流加在片子上時，對晶圓有了電注入，電注入迸發出非平衡自旋，電流越大迸發的非平衡自旋越多，產生的暗電壓越大，暗電壓的下降速率隨電流越大而變慢，直至片子被擊穿。通常我們測試暗電壓的標準電流為12V，測得的曲線和標準的曲線相比后，可以的出片子的基本情況。如在1區發覺暗電壓過大則對應的薄層區出了問題，2區暗電壓過大，說明問題出在體區，同樣3區出現問題，說明PN做的有問題，擴散，絲網彩印，濕度等參數就會影響暗電壓，只要曉得哪出了問題，就可以按照這去找出問題的緣由泄露電流過大的原因，所以測試暗電壓對工藝的研究是很有用的。