細胞膜電位在細胞通信中有著重要的作用，本人整理了下借助螢光顯微鏡測定膜電位的方式、用酶標(biāo)儀測定膜電位的方式以及膜電位的標(biāo)準(zhǔn)曲線制做。
膜電位測定
I.用螢光顯微鏡測定膜電位的方式
1.試劑
·(3)
·’sMEM(DMEM)
·FBS(fetalserum)
2.方式
1)將消化好的細胞移至DMEM中。
2)加入FBS，控制含量范圍在：2-15%。
3)加入(3)，控制含量范圍在：1-5μmol/l。
4)用螢光顯微鏡觀察剌激后螢光硬度的變化。[Ar激光(488nm)的激光共聚焦顯微鏡]，因為(3)的螢光會隨氣溫變化而改變細胞膜電位，所以必須在37℃的條件下測定。因為細胞膜的電位會變化，可以觀察細胞質(zhì)內(nèi)的螢光硬度變化。
II.用酶標(biāo)儀測定膜電位的方式
1.試劑
·(3)
測量用緩沖液(pH7.4;20mmol/lHEPES,120mmol/lNaCl,2mmol/lKCl,2mmol/lCaCl2,1mmol/lMgCl2,
5mmol/l)
2.方式
1)培養(yǎng)細胞：在多孔板中培養(yǎng)細胞
2)清洗細胞：用含5μmol/l(3)的檢查用緩沖液200μl，清洗多孔板中培養(yǎng)的細胞2次
3)染色：在孔板中加入180μl含5μmol/l(3)的檢查用緩沖液，在5%CO2，37℃培養(yǎng)箱中孵育30
分鐘。
4)測定：用螢光酶標(biāo)儀觀察剌激后螢光硬度的變化。因為(3)的螢光會隨氣溫變化而改變，所以必
須在37℃的條件下測定，加入20μl含(3)的檢查用緩沖液，每隔30秒測定1次螢光變化。
III.膜電位的標(biāo)準(zhǔn)曲線
1.原理
膜電位變化時色素的分布也急劇變化，所以螢光和吸收也會變化。這些變化程度取決于色素的分子數(shù)和細胞數(shù)的百分比、色素的含量以及細胞的種類。膜電位的標(biāo)準(zhǔn)曲線是通過用電極直接測定目的細胞的膜電位，在該電位所測得的螢光和吸收硬度而制得的。
2.試劑
·(3)
·Eagle-
·PBS
3.方式
1)用Eagle-培養(yǎng)細胞。
2)取PBS中的細胞在37℃的CO2培養(yǎng)箱中孵育30-60分鐘，之后改變孵育時間，制備不一樣的CO2含量的樣品。
3)加入(3)，終含量為2μmol/l。
4)20分鐘后，在517nm測定各個含量的螢光硬度，并用電極直接測定此時的電位差。
5)用螢光硬度和對應(yīng)的電位差來制做標(biāo)準(zhǔn)曲線。
4.其他方式
有鉀擴散電位和螢光或吸收硬度比較的方式。纈氨霉素導(dǎo)致鉀擴散電位，鉀擴散電位(V)是根據(jù)等式估算如下：
V=-RT/Flog[K+]in/[K+]out=-59log[K+]in/[K+]out(mV)
所以在纈氨霉素存在時，通過改變細胞外鉀離子含量和細胞內(nèi)鉀離子含量，估算擴散電位，測定各個電位的螢光或吸收硬度細胞膜電位，比較后可以得到標(biāo)準(zhǔn)曲線。
細胞膜電位和細胞自噬有著密不可分的關(guān)系，假如細胞膜電位崩潰還會出現(xiàn)細胞自噬。目前研究最多的是線粒體和細胞自噬的關(guān)系，研究線粒體膜電位可以借助螢光顯微鏡，也可以借助流式細胞儀。
