晶體管的晶體管的晶體管的晶體管的雪崩雪崩雪崩雪崩擊穿擊穿擊穿擊穿電流電流電流電流、、維持電流維持電流維持電流維持電流和雪崩晶體管和雪崩晶體管和雪崩晶體管和雪崩晶體管-xian.(電子交大，成都市)雙極型晶體管（BJT）在沒(méi)有輸入電壓時(shí)，通過(guò)的電壓很小（稱為穿透電壓），為截至狀態(tài)；而在電流下降到某一定值時(shí)，即發(fā)生輸出電壓忽然減小的現(xiàn)象，這就是擊穿；發(fā)生擊穿時(shí)的電流稱為擊穿電流（BV，）。擊穿現(xiàn)象常常對(duì)晶體管特點(diǎn)起著破壞性的作用，是限制晶體管最高工作電流的一個(gè)決定性誘因雪崩擊穿，是須要盡量避開(kāi)的。并且擊穿現(xiàn)象在一定條件下也大有用武之地，即弄成所謂雪崩晶體管等半導(dǎo)體元件。晶體管的擊穿基本上就是其反偏集電結(jié)的擊穿，只是晶體管因?yàn)橛幸欢ǖ姆糯笞饔茫梢源偈箵舸┑陌l(fā)生，因而晶體管的擊穿電流總要高于單個(gè)pn結(jié)的擊穿電流。pn結(jié)的擊穿機(jī)理主要有兩種：量子隧洞擊穿和熱自旋雪崩擊穿。對(duì)于Si-pn結(jié)，在擊穿電流低于6伏時(shí)，基本上都是雪崩擊穿的機(jī)理。對(duì)于常規(guī)使用的晶體管而言，其擊穿通常都決定于集電結(jié)的雪崩倍增效應(yīng)。）BJT的擊穿電流的擊穿電流的擊穿電流的擊穿電流：兩種基本組態(tài)的擊穿電流比較：在輸入端開(kāi)路（open）情況下，共柵極組態(tài)的擊穿電流BVCBo，總是小于共發(fā)射極組態(tài)擊穿電流BVCEo，這是由于穿透電壓CBo要比得多的緣故（見(jiàn)圖1）：不過(guò)，由于小電壓時(shí)的放大系數(shù)很小，所以ICEo并不是大得驚人。
共發(fā)射極組態(tài)的各類擊穿電流：在這些組態(tài)中，由于柵極-發(fā)射極之間偏置狀態(tài)的不同（是否漏電、開(kāi)路或則是否外接內(nèi)阻或則外加展寬），擊穿電流也將有所不同，如圖所示：BVCEo為相線開(kāi)路時(shí)、C-E之間的擊穿電流；BVCES為相線對(duì)地漏電時(shí)、C-E之間的擊穿電流；BVCER為相線接有內(nèi)阻R時(shí)、C-E之間的擊穿電流；BVCEX為相線接有反向展寬時(shí)；BVCEZ為相線接有正向展寬時(shí)、C-E之間的擊穿電流。由于不憐憫況下的反向電壓大小關(guān)系為（共柵極組態(tài)中，發(fā)射極開(kāi)路時(shí)的反向電壓ICBo最小）：T兩種組態(tài)的擊穿電流比較擊穿電流所以，相應(yīng)的擊穿電流的大小關(guān)系為（共柵極組態(tài)中，發(fā)射極開(kāi)路時(shí)的擊穿電流BVCBo最大）：可見(jiàn)：晶體管在各類擊穿情況下，通常都具有負(fù)阻特點(diǎn)，這是因?yàn)榫w管在高電流時(shí)、集電結(jié)發(fā)生串?dāng)_雪崩倍增效應(yīng)（雪崩擊穿），致使穿透電壓ICEo減小和電壓放大系數(shù)α也急劇減小的結(jié)果：減小到接近1時(shí)，則基極電壓很快減小——C-E導(dǎo)通，壓降減少，于是出現(xiàn)晶體管在雪崩擊穿時(shí)通常都存在兩個(gè)狀態(tài)雪崩擊穿，即高電流、小電壓狀態(tài)和低電流、大電壓狀態(tài)，但是這兩個(gè)狀態(tài)的轉(zhuǎn)換與電流有關(guān)，故能開(kāi)關(guān)應(yīng)用；借助這些特點(diǎn)來(lái)工作的晶體管稱為雪崩晶體管雪崩晶體管雪崩晶體管雪崩晶體管。
對(duì)于B-E之間外接有柵極內(nèi)阻R的情況，由于該柵極內(nèi)阻對(duì)發(fā)射極的正偏作用，就促使電壓減小，α也減小；當(dāng)α1時(shí)，則基極電壓很快降低——擊穿，所以有：此即表明，B-E之間外接有內(nèi)阻時(shí)，擊穿電流（BVCER）增長(zhǎng)，即容易形成負(fù)阻現(xiàn)象。）BJT的維持電流的維持電流的維持電流的維持電流：晶體管在擊穿以后，就維持在低電流、大電壓狀態(tài)，這時(shí)的電流就稱為維持電流（）。對(duì)于共發(fā)射極組態(tài)BJT，由圖2（b）擊穿特點(diǎn)可見(jiàn)，對(duì)應(yīng)于集電極-發(fā)射極之間的不同偏置狀態(tài)，就有不同的維持電流LV：其中的LVCEO、LVCER、LVCES、LVCEX分別是集電極開(kāi)路、基極接有內(nèi)阻、基極漏電、基極反偏時(shí)的維持電流。可見(jiàn)，晶體管具有最低維持電流的大電壓狀態(tài)是出現(xiàn)在柵極開(kāi)路的條件下。）雪崩晶體管雪崩晶體管雪崩晶體管雪崩晶體管：當(dāng)通過(guò)BJT的電壓很小時(shí)，由于α很小，則雖然這時(shí)集電結(jié)存在一定的自旋倍增效應(yīng)，也無(wú)法達(dá)到αM=1，于是晶體管依然處于不導(dǎo)通的截至狀態(tài)；當(dāng)減小電流、使得集電結(jié)倍增效應(yīng)提高（M減小）時(shí)，則電壓減小、α也相應(yīng)地減小，就有可能達(dá)到αM=1，即雪崩擊穿。
雪崩晶體管就是在低電流時(shí)、通過(guò)的電壓很小（～I(xiàn)CBo），高電流時(shí)、電流忽然減小（雪崩擊穿）的一種雙極型晶體管（BJT），是一種電流控制的開(kāi)關(guān)晶體管。為了更好地控制晶體管的開(kāi)關(guān)工作，雪崩晶體管通常都在柵極北外接一個(gè)內(nèi)阻降低電流、使得α減小到接近1時(shí)，則晶體管擊穿，就步入大電壓導(dǎo)通狀態(tài)（αM=1），這時(shí)的電流可以給出為：式中的常數(shù)n值越小越好，它決定于高阻集電區(qū)的材料種類和導(dǎo)電機(jī)型：對(duì)Si-npn對(duì)Si-pnp管為2；對(duì)Ge-npn管為3，對(duì)Ge-pnp管為6。可見(jiàn)，Si雪崩晶體管采用pnp構(gòu)型式較好。【注】雪崩晶體管不同于雪崩晶閘管（即雪崩光電晶閘管，APD），也不同于雪崩倍增渡越時(shí)間晶閘管（），盡管它們的工作都是借助了自旋的雪崩倍增效應(yīng)。APD是借助反偏pn結(jié)（使其處于自旋倍增狀態(tài)）來(lái)放大輸入光訊號(hào)的一種光電晶閘管，可用于測(cè)量微弱的光訊號(hào)（在光纖通訊中廣泛地用作為光接收元件）。屬于微波半導(dǎo)體元件，是同時(shí)借助自旋的雪崩倍增效應(yīng)和渡越時(shí)間效應(yīng)來(lái)工作的三極管，它還能輸出較大功率的微波訊號(hào)，是一種重要的毫米波訊號(hào)源元件。