大家都知道內阻可以串聯也可以并聯。
那么，晶閘管適合串并聯嗎？
串聯晶閘管
晶閘管串聯時，要注意靜態(tài)截止電流和動態(tài)截止電流的對稱分布。
在靜止狀態(tài)下，由于串聯的各個器件的截止漏極電壓存在不同的制造誤差電容器串聯和并聯特點，漏極電壓最小的器件承受的電流最大，甚至達到鎖定狀態(tài)。 但是，只要器件具有足夠的閉鎖穩(wěn)定性，就沒有必要在線路中使用電壓均衡內阻。 只有截止電流小于1200V的器件串聯時，一般需要并聯內阻。
假設截止漏極電壓不隨電流變化，忽略內阻的偏差，則對于給定截止電流VR的n個晶閘管串聯電路，可以得到簡化的估算公式內阻：
式(1.15)中，Vm為串聯電路中電壓的最大值，△Ir為三極管漏電壓的最大誤差，假設工作溫度為最大值。
我們可以做出一個安全的假設：
式(1.16)中Irm由廠家給出。
根據以上信息，內阻中的電壓約為三極管漏電壓的六倍。
經驗表明，當流過它的電壓大約是最大截止電流時晶閘管漏極電壓的三倍時，這個內阻就足夠了。 但即使在這些條件下，內阻仍然會發(fā)生相當大的損失。
原則上，動態(tài)電流分布不同于靜態(tài)電流分布。 如果一個三極管 pn 結的自旋比另一個快，它也會更快地接受電流。
如果忽略電容誤差，那么當n個給定截止電流值Vr的晶閘管串聯時，我們可以用一種簡化的方法來估算并聯電容：
式(1.17)中，△QRR為三極管存儲功率的最大誤差。
我們可以做出一個足夠安全的假設：
條件是所有晶閘管都來自同一制造批次。 ΔQRR 由半導體制造商給出。 除了續(xù)流晶閘管關斷時產生的蓄電外，電容器中蓄電也需要通過IGBT導通來補充。 根據上述設計公式電容器串聯和并聯特點，我們發(fā)現其總儲能值可能達到單個晶閘管的兩倍。
一般來說，續(xù)流晶閘管的串聯電壓很少見，主要有以下損耗來源：
因此，在可以采用大截止電流晶閘管時，通常不采用串聯方案。
唯一的例外是當應用電路需要非常短的開關時間和低存儲功率時，這正是低壓晶閘管所具有的。 實際上，此時系統(tǒng)的導通損耗會大大降低。
晶閘管并聯
晶閘管并聯連接，無需額外的RC緩沖電路。 重要的是并聯時通態(tài)電流的誤差應盡可能小。
判斷三極管是否適合并聯的一個重要參數是其導通電流對溫度的依賴性。 如果通態(tài)電流隨溫度降低而增加，則它具有負溫度系數。 對于減員，這是一個優(yōu)勢。
如果通態(tài)電流隨溫度降低而減小，則濕度系數為正。
在典型的并聯應用中，這是一個優(yōu)勢，因為較熱的晶閘管會承受較低的電壓，從而提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。 由于晶閘管總是存在一定的制造誤差，當晶閘管并聯時，較大的負溫度系數（>2mV/K）可能會造成溫升不平衡的危險。
并聯的晶閘管會產生熱耦合：
通常對于較弱的負空氣溫度系數，這種類型的熱耦合足以防止具有最低導通電流的晶閘管走向溫度不平衡。 但對于負空氣溫度系數值>2mM/K的三極管，建議降額使用，即總額定電壓應大于各晶閘管額定電壓之和。
