MOS管并聯(lián)使用解析及并聯(lián)電路圖-KIAMOS管
MOS管怎樣并聯(lián)使用？
并聯(lián)是器件之間的一種聯(lián)接形式，其特征是將2個(gè)同類或不同類的器件、器件等首總理接，同時(shí)尾尾亦相連的一種聯(lián)接形式。一般是拿來指電路中電子器件的聯(lián)接形式，即并聯(lián)電路。
MOS管并聯(lián)電路圖
MOS管并聯(lián)工作原理
在圖1中，采用對(duì)每位并聯(lián)的MOS管單獨(dú)實(shí)限流技術(shù)來限制流過每位MOS管的電壓。
具體方式如下：
在每位MOS管串聯(lián)作電壓測(cè)量用的取樣內(nèi)阻（圖中的RlO、Rll、R12），實(shí)時(shí)對(duì)流過每位MOS管的電壓進(jìn)行檢測(cè)。3路分流器的采集訊號(hào)均送入4比較器。
LM339，作為判別是否過流的根據(jù)：只要流過任何一個(gè)MOS管的電壓超過對(duì)其所限定的電壓保護(hù)值，則控制回路根據(jù)送出的過流保護(hù)訊號(hào)馬上限制驅(qū)動(dòng)脈沖的開度，保證當(dāng)前流過每位MOS管的電壓不超過所限定的電保護(hù)值。
在圖1中，假如在PWNin驅(qū)動(dòng)脈沖加入后，假設(shè)MOS1先開通，MOS2、MOS3暫時(shí)未開通，則電壓只能先流過MOS1，但是電壓被限制在其限制值以內(nèi)；
接著MOS2又開通，則部份原本流過MOS1的電壓會(huì)被分流到MOS2，必然導(dǎo)致流過MOS1的電壓大于其限制值，于是過流訊號(hào)消失，PWNin驅(qū)動(dòng)脈沖開度加強(qiáng)，直到電壓重新抵達(dá)MOS1或MOS2的電壓限制點(diǎn)后，PWNin驅(qū)動(dòng)脈沖就會(huì)停止降低。
之后MOS3導(dǎo)通的又重復(fù)上述的電壓分配過程，直到抵達(dá)新的電壓平衡。同理，可剖析MOS管任何時(shí)刻單個(gè)或多個(gè)導(dǎo)通時(shí)電壓的自行分配過程。
MOS管并聯(lián)注意事項(xiàng)
1、飽和壓降VDs或?qū)≧DSon：
對(duì)所有并聯(lián)的MOS管而言mos管串聯(lián)和并聯(lián)區(qū)別，導(dǎo)通時(shí)其管壓降是相同的，其結(jié)果必然是飽和電流小的MOS管先流過較大的電壓，隨著結(jié)溫的下降，管壓降逐步減小，則流過管壓降大的MOS管的電壓又會(huì)逐步減小，進(jìn)而減少管壓降小的MOS管的工作壓力。
因而，從原理上講，因?yàn)镹溝道功率型MOS管的飽和壓降VDs或?qū)▋?nèi)阻RDSon具有正的氣溫特點(diǎn)，是很適宜并聯(lián)的。
2、開啟電流VGS（th）：
在同一驅(qū)動(dòng)脈沖作用下，開啟電流VGS（th）的不同，會(huì)導(dǎo)致MOS管的開通時(shí)刻不同，因而會(huì)造成先開通的MOS管首先流過整個(gè)回路的電壓，假如此時(shí)電壓偏大，不加以限制，則對(duì)MOS管的安全工作導(dǎo)致恐嚇；
3、開通、關(guān)斷延后時(shí)間Td（on）、td（off）；開通上升、關(guān)斷增長(zhǎng)時(shí)間tr、tf：
同樣，在同一驅(qū)動(dòng)脈沖作用下，td（on）、td（off）、tr、tf的不同，也會(huì)導(dǎo)致MOS管的開通／關(guān)斷時(shí)刻不同，因而會(huì)造成先開通／后關(guān)斷的MOS管流過整個(gè)回路的電壓，假如此時(shí)電壓偏大，不加以限制，則同樣對(duì)MOS管的安全工作導(dǎo)致恐嚇。
4、驅(qū)動(dòng)極回路的驅(qū)動(dòng)輸入內(nèi)阻、等效輸入電容、等效輸入電感等，均會(huì)導(dǎo)致造成MOS管的開通／關(guān)斷時(shí)刻不同。
綜上所述mos管串聯(lián)和并聯(lián)區(qū)別，可以看出，只要保證無論在開通、關(guān)斷、導(dǎo)通的過程流過MOS管的電壓均使MOS管工作在安全工作區(qū)內(nèi)，則MOS管的安全工作得到保障。