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[!--downpath--]2020中學數學大賽化學實驗A實驗原理YXZdB4312(1-1)K稱為霍爾器件的靈敏度，它是一個重要參數，表示該器件在單位磁感應硬度和單位電壓作用時霍爾電流的大小。假如霍爾器件的靈敏度K曉得（通常由實驗室給出），測出電壓和霍爾電流，就可以按照下式求出磁感應硬度B。上式中比列系數R稱為霍爾系數，對同一材料R為一常數。因成品霍爾器件（按照霍爾效應制成的元件）d也是一常數。故R/d常用另一常數K來表示，有霍爾效應的解釋ezv++++++++-------現研究一個寬度為L、寬度為d的N型半導體材料制成的霍爾器件。當沿X方向通以電壓后，自旋（對N型半導體是電子）e將以平均速率v沿與電壓相反的方向運動，在磁感應硬度為B的磁場中，電子將遭到洛侖茲力的作用，其大小為的方向可以由左手定則決定。在的作用下，電荷將在器件沿y的兩端面堆積產生電場它會對自旋形成一靜電力，其大小為它的方向與洛侖茲力相反，即它是制止電荷繼續堆積。eV++++++++-------當和達到靜態平衡后，有即于是電荷堆積的兩端面（Z方向）的電勢差為通過的電壓可表示為式中n是電子含量，得（1-4）（1-5）=將代入可得可改寫為該式與和式一致就是霍爾系數（1）厄廷豪森效應1887年厄廷豪森發覺，因為自旋的速率不相等，它們在磁場的作用下，速率大的遭到的洛侖茲力大，繞大圓軌道運動，速率小則繞小圓軌道運動，這樣造成霍爾器件的一端較另一端具有較多的能量而產生一個縱向的氣溫梯度。
因此形成溫差效應，產生電勢差，記為其方向決定于和磁場B的方向，并可判定，一直同向。（2）能斯特效應由圖所示因為輸入電壓端引線a、b點處的阻值不相等，通電后發熱程度不同，使a和b兩端之間出現熱擴散電壓，在磁場的作用下，在c、e兩端出現縱向電場，由此形成附加電勢差，記為。其方向與無關，只隨磁場方向而變。（3）里紀-勒杜克效應因為熱擴散電壓的自旋的遷移率不同，類似與厄廷豪森效應中自旋速率不同一樣，也將產生一個縱向的氣溫梯度，形成附加電勢差，記為，其方向只與磁場方向有關，與同向。1不等電勢差不等電勢差是因為霍爾器件的材料本身不均勻，以及電流輸入端引線在制做時不可能絕對對稱地點焊在霍爾片的一側，如圖所示。因而，當電壓流過霍爾器件時，在電極3、4間也具有電勢差物理實驗 霍爾效應，記為，其方向只隨方向不同而改變，與磁場方向無關。3cece24副效應的清除按照以上副效應形成的機理和特性物理實驗 霍爾效應，除厄廷豪森副效應外，其余的都可借助異號檢測法去除影響，因此須要分別改變和B的方向，檢測四組不同的電勢差，之后做適當數據處理，而得到。取+B、+測得取+B、-測得取–B、+測得取–B、-測得消掉、和得由于，通常可忽視不計，所以實驗內容檢測通電長直螺線管內，軸線上一點隨電樞電壓而變化的磁場。
霍兒效應檢測通電長直螺線管內，軸線上的磁場分布。表1X(mm)0.005.08.010.020.030.040.050.060.080.0100.050100150200250300350550數據處理依據估算B值，在座標紙上勾畫B~X曲線，剖析螺線管內磁場分布規律。在記錄的螺線管寬度L，阻值N和電樞電壓代入B的公式中算出B理論值與X=10.0cm比較，剖析緣由勾畫~B曲線，剖析電樞電壓與磁感應硬度的關系。勾畫~曲線，剖析工作電壓與霍爾電流的關系。5.將實際檢測的