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[!--downpath--]IGBT是電力電子裝置的CPU，在電力電子變流和控制中起著舉足輕重的作用。變頻器中，IGBT模塊更為重要。并且，IGBT模塊會常常出現(xiàn)爆燃的情況。下邊，小編就結(jié)合案例具體剖析一下。
IGBT爆燃
由于個(gè)別緣由，模塊的耗損非常巨大，熱量散不出去，造成內(nèi)部濕度極高，形成二氧化碳，沖破外殼，這就是所謂的IGBT爆燃。
IGBT爆燃緣由
內(nèi)部誘因：
從爆燃的本質(zhì)是發(fā)熱功率超過散熱功率，內(nèi)部緣由應(yīng)當(dāng)就是過熱。
人為誘因
●進(jìn)線接在出線的端子上
●變頻器接錯電源
●沒按要求接負(fù)載
常見誘因
●過電壓：一種是負(fù)載漏電，另一種是控制電路處邏輯受干擾，致使上下橋臂器件直通。
●絕緣的毀壞
●過電流：一般是線路雜散電感在極高的di/dt作用下形成的尖峰電流而導(dǎo)致，解決的辦法就是設(shè)計(jì)高性能吸收回路，增加線路雜散電感。
●過熱：IGBT不能完全導(dǎo)通，在有電壓的情況下器件耗損減小，體溫降低造成毀壞。
●通訊誤分辨率：通信一段時(shí)間后，忽然的錯誤信息造成IGBT欺騙通使IGBT爆燃;通信板FPGA程序運(yùn)行不穩(wěn)定造成IGBT欺騙通使IGBT爆燃。
其他緣由
●電路中過流檢查電路反應(yīng)時(shí)間跟不上。
●IGBT漏電保護(hù)是通過測量飽和壓降，而留給執(zhí)行機(jī)構(gòu)的時(shí)間通常是10us(8倍過流)在上電的時(shí)侯容易燒預(yù)充電內(nèi)阻和剎車單元里的IGBT。
●工藝問題：銅排校著勁、螺絲擰不緊等。
●短時(shí)大電壓：緣由也有好多，例如死區(qū)沒設(shè)置好、主電路過壓、吸收電路未做好。
●驅(qū)動電源也是個(gè)應(yīng)當(dāng)非常注意的問題，該隔離加隔離、該混頻加混頻。
●電機(jī)沖擊反饋電流過大造成IGBT爆燃。但對于充電時(shí)爆燃的情況發(fā)生的機(jī)率不是很大。
●電機(jī)啟動時(shí)，輸入測電流頓時(shí)跌落，電容放電。輸入測電流恢復(fù)后電容充電時(shí)的浪涌電壓過大以致IGBT爆燃。
IGBT爆燃案例
01
變頻器上電就炸，故障率大概為5%。原本懷疑是充電電路的問題，而且這是個(gè)老型號，用過很長時(shí)間了。后來發(fā)覺因?yàn)槭褂昧诵碌男瑥S，新鞋廠的配電有問題，電網(wǎng)電流不穩(wěn)導(dǎo)致的。
02
變頻器上電爆燃，故障率大概為2%。始終找不到緣由，后來發(fā)覺一個(gè)奇怪的現(xiàn)象，變頻器非常容易在下雨炸。最終找到緣由PCB沒有做防霉處理，下雨有水珠在PCB上線路電流過大的原因線路電流過大的原因，絕緣出了問題。
03
變頻器運(yùn)行好好的，忽然就一聲炸雷，衣柜跳電，它的保護(hù)電路建立，并非接線錯誤，但卻爆了兩個(gè)IGBT。緣由是馬達(dá)沖擊反饋電流。
04
西安某煤化集團(tuán)IGBT爆燃緣由剖析：
●供電線路漏電過流，功率單元過流保護(hù)不靈敏是主要誘因，缺相是次要因。
●變頻器運(yùn)行過程中，假如有一臺功率單元發(fā)生破損，因?yàn)轱L(fēng)機(jī)水泵的轉(zhuǎn)動力矩巨大，將造成能量忽然劇烈倒灌，導(dǎo)致強(qiáng)過流、強(qiáng)缺相，假如變頻器保護(hù)不及時(shí)將使多個(gè)功率單元的IGBT同時(shí)燒蝕。
●主扇6kV供電系統(tǒng)上假如有多臺小型馬達(dá)同時(shí)起動，將會導(dǎo)致變頻器供電電流的頓時(shí)跌落，使變頻器各功率單元的中間電容存儲的能量頓時(shí)用盡，在電流快速恢復(fù)時(shí)形成強(qiáng)悍的浪涌電壓沖擊，假如變頻器保護(hù)不及時(shí)將使多個(gè)功率單元的IGBT同時(shí)燒蝕爆燃。